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サムスン、NANDに2.5兆ウォン投資

サムスン電子が非メモリー半導体用として設置した京畿道華城市の生産ラインを3次元NAND型フラッシュメモリー用に転換する。投資額は2兆5000億ウォン(約2260億円)以上を見込む。

同社関係者は14日、「華城の半導体生産ラインを拡張し、新規設備では3次元NAND型フラッシュメモリーを生産する」と説明した。

新ラインは当初、非メモリー半導体を生産する予定で、第1段階の工事ではいったんDRAM生産用に転換されていた。新ラインでは来年から月産数万個の3次元NAND型フラッシュメモリーを生産する計画だ。

サムスン電子が3次元NAND型フラッシュメモリーに集中するのは、今後スマートフォンの記憶装置の容量が大きくなり、大容量のNAND型フラッシュメモリーに対する需要が高まると判断したためだ。
朝鮮日報/朝鮮日報日本語版
http://www.chosunonline.com/site/data/html_dir/2016/06/15/2016061500543.html


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【管理人 補足記事&コメント】
微細化が最初に行き詰まる半導体デバイスは、いままで最も速いペースで世代交代が行われてきたNANDフラッシュメモリである。フラッシュメモリ市場において、トップを走るサムスンに肉薄する東芝は現在15nm フラッシュメモリ(ワード線の配線ピッチの1/2(=ハーフピッチ)の長さが15nmの製品)の生産を同社四日市工場(三重県)で始めており、今後、さらにはその先へむけて微細化を検討している。

しかし、微細化によって記憶素子に蓄積できる電子数が極端に少なくなり、さらにはメモリセル間の干渉の増大などで大容量メモリの信頼性(書き換え寿命や読み出し誤り率)が急激に悪化してきており、デバイス特性としての物理的限界を迎えようとしている。微細化をすることなく大容量化とビットコストの低減を図る方法として新たに登場してきたのが、セルアレイ(セルの配列)を上に積み上げていくメモリの3次元化である。

SEMIは2016年6月9日(米国時間)、新規ファブおよびラインの建設着工が2016~2017年にかけて19件予想されることを発表した。2016年第1四半期の半導体製造装置の投資額は低調だったが、2016年末にかけて投資が加速する見込みだ。 SEMIの統計調査によると、半導体前工程ファブ製造装置市場(中古と内製装置含む)は、2015年に前年比2%減となった。しかし、3次元NAND型フラッシュメモリ(3D NAND)や10nmロジック、ファウンドリーへの投資で、2016年の投資額は前年比1.5%増の360億米ドル、2017年は同13%増の407億米ドルに達することが予測されている。

一方、東芝の新工場では、データセンターやスマートフォンなどに使用される3次元構造のNAND型フラッシュメモリ(フラッシュメモリ)を製造する。フラッシュメモリはここ数年、東芝の利益の大半を稼ぎ出している屋台骨だ。世界シェアは韓国のサムスン電子に続いて2位(iHSテクノロジー調べ)と競争力もある。東芝は今後、半導体と原子力を主とする電力を2本の柱に据えるとしている。半導体は毎年一定の投資が必要な金食い虫。四日市の新工場建設後も毎年、継続的な設備投資が必要になってくる。また、四日市工場は既に5つの半導体の製造棟がありそこへの投資も手を緩められない状況だ。

とはいえ半導体市況もいつまでも現状のままではない。元々浮き沈みの激しい業界だが、フラッシュメモリについては、これまでは3社がほぼ独占している安定的な市場だった。だが、技術力を上げてきた中国メーカーが少しずつ参入し、競争も激化しており、足元では売価も徐々に下がってきている。半導体で技術的な優位を維持するには、安定的な資金調達を可能にするような、事業体の見直しも迫られている。東芝の構造改革に残されている時間は少ない。もっともサムスンにとっても苦しい状況だが…。。。



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[ 2016年06月15日 10:00 ] カテゴリ:韓国経済 | TB(0) | CM(0)
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