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サムスン電子、NAND型フラッシュメモリで史上最大の売り上げ…14年連続1位

サムスン電子がことし1-3月期、世界NAND型フラッシュメモリ(NAND Flash)部門で史上最大の売り上げを記録した。 12日、市場調査機関IHSはサムスン電子が2016年1-3月期NAND型フラッシュメモリ部門だけで26億1500万ドル(約2724億1700万円)を売り上げて25億3600万ドルだった前期に比べて3.1%の成長率を示したと明らかにした。これは全体NAND型フラッシュメモリ市場の成長率(1.6%)の2倍水準だ。

サムスン電子のことし1-3月期グローバルNAND型フラッシュメモリ市場占有率は42.0%だった前期から0.6%ポイント上昇した42.6%を記録した。次いで28.0%の占有率で東芝が2位、米国マイクロンが18.8%で3位、SKハイニックスが10.6%で4位に入った。 NAND型フラッシュメモリは電源をオフにしてもデータが保存されるメモリ半導体で、DRAM需要に代わるものとして急速にシェアを伸ばしている。

NAND型フラッシュメモリーが応用されている代表的な製品「SSD(ソリッドステートドライブ)」はノートブックパソコンへの搭載比率が30%を越えて市場の主軸となりつつある。 サムスン電子は2002年以降、NAND型フラッシュメモリ市場で14年連続占有率1位と、その地位を不動のものにしている。
http://japanese.joins.com/article/248/218248.html?servcode=300§code=300


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【管理人 補足記事&コメント】
日本経済新聞は今年1月、韓国の半導体大手SKハイニックスが26日発表した2015年10~12月期連結決算は純利益が8710億ウォン(約860億円)と前年同期に比べて46%減った。営業利益も41%減り、1年半ぶりに前年実績を下回った。パソコン用の需要減少などに伴い、メモリー半導体の価格が大きく下がったのが響いたと伝えた。

売上高は14%減の4兆4160億ウォンで、売上高純利益率は20%と12ポイント下落した。16年1~3月期も販売価格は一段と下がるものの、下落幅は縮小するとみている。 16年の設備投資額は前年並みの6兆ウォンを計画。記録容量を大幅に増やせる技術として注目されている3次元構造のNAND型フラッシュメモリーは、36層を積み重ねた新製品をサンプル出荷済みで、顧客から評価を受けている段階だと明らかにした。

15年12月期通期は純利益が4兆3240億ウォンと前の期に比べ3%増加。売上高は10%増の18兆7980億ウォンだった。

しかし、NAND型フラッシュメモリは、14ナノメートルプロセスへの転換とともに3D競争力の確保に集中して、第3世代(48段)の製品は下半期に開発・量産を開始する方針だ。半導体で言うナノメートルは10億分の1メートルで、髪の10万分の1ほどの太さだ。回路と回路との間の幅を意味する。回路が微細になるほど性能が改善され、チップサイズや消費電力と製造コストが減ることから技術競争が激しい。

そもそ、3D NAND型フラッシュメモリは製造原価が高い。利益はもっと減少するだろう。市場は3Dであれ何であれ、容量とその性能にあるわけで、部品単価が圧倒的に有利になるわけではない。製造方法からすれば、むしろその逆となる。

サムスンの様に数で一位と言う記事がすぐ掲載されるが…。。。
内容は決して良いわけではない…。



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[ 2016年07月14日 12:06 ] カテゴリ:韓国経済 | TB(0) | CM(0)
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