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SKハイニックス2兆ウォン工場新設…半導体が韓国経済支える

半導体分野に韓国内業者の攻撃的投資が続いている。特に急激な成長を見せるNANDフラッシュ(保存用メモリー)に投資が集中している。輸出不振で憂鬱な韓国経済に半導体がそれなりに持ちこたえているのだ。

SKハイニックスは忠清北道清州(チュンチョンブクド・チョンジュ)に2兆2000億ウォン(約2147億2000万円)をかけてNANDフラッシュ工場を作ると22日に発表した。すでにNANDフラッシュを生産している清州第1工場と第3工場の向かいの23万9000平方メートルの敷地に新しい工場を作る。情報技術(IT)業界によるとサムスン電子も昨年5月から作っている京畿道平沢(キョンギド・ピョンテク)の新しい半導体工場でNANDフラッシュを生産することに決め、関連設備を構築中だ。全15兆6000億ウォンが投入されたこの工場は来年上半期に稼動が始まる。

今年下半期から好況に転じたメモリー半導体は韓国の輸出の高収益製品だ。今月に入り20日までの韓国の輸出実績が昨年同期より11%上がったのは半導体輸出実績が19%も跳ねたおかげだ。全体の輸出で半導体が占める比重も2011年9%から今年12.6%(今月20日まで)に上がった。メモリー半導体のうちでも成長の可能性が高く、「新たな金鉱」と呼ばれる製品がNANDフラッシュだ。


メモリー半導体は大きくデータを処理するDRAMとデータを保存するNANDフラッシュに分かれる。DRAM市場はすでにサムスン電子とSKハイニックスが70%以上を占有している。韓国が「メモリー半導体強国」と呼ばれる理由だ。

NANDフラッシュ市場はまだパイを増やす余地が多い。サムスン電子が独歩的な市場占有率(今年4-6月期基準34.9%)を誇っているが、SKハイニックスは世界5位だ。DRAMに集中するのにNANDフラッシュ投資の適正な時期を逃したためだ。需要は爆発的に増加している。スマートフォンに搭載される保存装置、ハードディスクドライブ(HDD)に代わるPC保存装置のソリッドステートドライブ(SSD)、企業用サーバーなどにいずれもNANDフラッシュが使われる。市場調査機関IHSテクノロジーは昨年822億ギガバイト(GB)だったNANDフラッシュ需要が2020年には5084億GBで年平均44%成長するものと予測した。
http://japanese.joins.com/article/865/223865.html?servcode=300§code=320

【管理人 補足記事&コメント】
東芝は27日、単位面積当たりの容量を従来の1・4倍に高めた3次元(3D)構造NAND型フラッシュメモリー(写真)を開発したと発表した。記憶素子の積層数は64で、容量は32ギガバイト(ギガは10億)。サンプル出荷を始めており、2017年前半に量産を始める。データセンター(DC)向けのソリッドステートドライブ(SSD)やスマートフォン、メモリーカードなどを中心に提供する。今後は容量を64ギガバイトまで高める計画だ。

東芝と提携する米ウエスタンデジタルも64層の3D構造NAND型フラッシュメモリーの生産を始めたと発表した。10―11月に市販向け製品を量産し、出荷を始める。またOEM(相手先ブランド)生産向けは9月までにサンプル出荷を開始し、17年前半に量産体制を整える。 64層の3D構造NAND型フラッシュメモリーは、東芝四日市工場(三重県四日市市)の新第2製造棟で生産する。同製造棟は7月に全面稼働した。

サムスンが先行しているとはいえ、2年前は製造装置の能力が不足し、サムスンも設備をフル活用しても良品を製造できない壁に直面した事で、それを超えるのに時間がかかっていた。現在は装置が進歩し生産面はクリアしている。ただし不具合への対応力が劣るが道筋は見えている。東芝は丸々2年遅れとは考えていないとしたうえで、感覚としては半年くらいの遅れと話すのが、成毛康雄副社長の話だ。

中国スマホの大容量化がしばらく続き、需給バランスは改善されるだろう。一方リスクは為替と競合の増産だ。積極的にシェアを取りに行く訳ではないが、シェアを落としてはいけないと強烈に感じている。競合の増産状況や市況リスクを見極めて投資を決めるとしている。分社化はいざという時の選択肢の一つとして否定はしないが、具体的な検討はない。NAND事業を単独で見てどうあるべきか、が判断ポイントだという。

ウェスタン・デジタルやサンディスクは、ReRAMを推進したいのか? それは、ReRAMが、「SCM」(ストレージクラスメモリ)という新市場を生み出す可能性があるからである。現在、コンピュータに使われているメモリは階層構造を形成している。
・CPUのレジスタやキャッシュメモリに使われるSRAM
・メインメモリとして用いられるDRAM
・ストレージに利用されるNANDフラッシュメモリやHDD

ところが、DRAMとNANDフラッシュメモリのアクセス時間には最大6桁も差があり、データ処理のボトルネックになっている。特にビッグデータの普及に伴って、データ量の飛躍的な増大とともに、そのアクセス時間は増大しており、この解決が望まれている。そこでDRAMとNANDフラッシュメモリの間に、性能差を埋める新型メモリを導入しようというのが、SCMの考え方である。このSCMに、ウェスタン・デジタルやサンディスクはReRAMを適用しようと考えているというのが専門家の意見だ。

サンディスクを買収したウェスタン・デジタルはReRAMで、またインテルとマイクロンは3D Xpointで、新たに誕生するSCM市場の制覇を狙っている。この部分における半導体産業にはまだ革新的な方法はあるわけで、どの企業が飛び出すのかは今後の技術力にかかっている。



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[ 2016年12月23日 13:32 ] カテゴリ:韓国経済 | TB(0) | CM(2)
これみた
この記事みた。これは決まった、できるではなく、予定記事。こんなの真に受ける馬鹿はマスゴミとこのサイトを見ている人以外です。このサイトの読者はこんな記事あてにしません。前にもいったように、半導体には前行程と後行程があり、東芝のフラッシュは以前の製品との一貫性があるが、サムスンのはない。費用は倍にかさむわけだ。性能面でもサムスンは1セル2バイト容量で、東芝は1セル3バイト。全然性能が違うんですよ。次に、ReRAMか3D Xpointだが、善良なマスコミによると3D Xpointが優勢のようだ。
[ 2016/12/23 13:43 ] [ 編集 ]
値段のたたきあい
半導体市場予測では 2016年に底を打つが、
2017年、2018年のメモリは2.8%くらいの成長。
単価は年率20%下がるから、数量は28%くらい
伸びるという計算になります。

どういうことかというと、増産して値段のたたきあい。
まあ、こういうヤクザな商売は韓国2社にまかせればいい。
東芝はどうするのだろう。やるしかないなら参戦か。

実際には、敷地の半分に建屋を建てて、装置を入れるのは
建屋の半分、全体計画の1/4からスタートするから、
ハイニックスも様子見しながらやるでしょう。
[ 2016/12/23 15:37 ] [ 編集 ]
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