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サムスン次世代半導体MRAM、これこそ「ファストムーバー」だ

サムスン電子がニューメモリーMRAM(磁性メモリー)を内蔵したシステム・オン・チップ(SoC)試作品の生産を完了し、マーケティングを始めたという。DRAM、NAND型フラッシュメモリーなどメモリー半導体が好況の中、次世代半導体競争にも戦雲が漂う様相だ。これに先立ちインテルとマイクロンがPRAM(相変化メモリー)技術を取り入れた3Dクロスポイントという技術を開発したのに続き、IBMが3ビットPRAMを発表した点を考えれば特にそうだ。市場の創出が見えてくれば、次世代半導体時代もそれだけ繰り上げられる見込みだ。

2000年代から国内外の半導体企業が研究してきたPRAM、MRAMなど次世代半導体の競争に火がついたのには理由がある。まず現在のメモリー好況がいつまでも続くという保証がない。さらに微細工程の限界、適用分野の多角化、半導体をめぐる激しい競争なども要因に挙げられる。 DRAM、NAND型フラッシュメモリーの進化を牽引してきたサムスンは、MRAM、ReRAM(抵抗変化メモリー)など次世代メモリーを準備してきたという事実をあえて隠さなかった。次に繰り広げられる戦闘をすでに想定していたということだ。DRAM、フラッシュメモリーはサムスンが後発から速い革新で主導権を掌握したとすれば、次世代半導体MRAMはサムスンが市場を作り始めたケースだ。もうファストフォロワーではなく、ファストムーバーという宣言だ。拍手を送る。

半導体は韓国で情報技術時代を操り上げた決定的な基盤だったし、第4次産業革命でその重要性がさらに高まった。米国や中国などが国家レベルで半導体競争力を叫ぶのにはすべて理由がある。企業がファストムーバーリスクを負って挑戦するというのに政府は眺めているだけではいけない。特に大企業がする半導体を政府がなぜ支援するのかという論理は非常に危険だ。大学からの半導体人材供給が途切れ、研究基盤が消えれば、産業生態系は崩壊するはずであり、そのような状況は大企業であっても乗り越えることができない。半導体は米国や日本の牽制と中国の猛烈な追撃の中でも韓国経済の支える役割をする産業という点を忘れてはならない。
http://japanese.joins.com/article/493/228493.html?servcode=100§code=110

【管理人 補足記事&コメント】
既存の、高速だが不揮発性ではないDRAMや不揮発性だが低速のNAND型フラッシュメモリに代わる次世代高速不揮発性メモリにはFeRAM(高誘電体メモリ)、ReRAM(抵抗変化型メモリ)、PRAM(またはPCRAM:相変化型メモリ)、MRAM(磁気メモリ)などいろいろな候補がある。当然研究開発が続行しているが、IC KnowledgeはMRAMのなかでもSTT MRAM(Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory:スピン注入型磁気メモリ)が最有力視されている。

STT MRAMは、電子のスピンによって生じる磁気モーメントを利用して磁性体の磁化の向きを変える。あとはMRAMの原理と同じで、磁化の向きを電気抵抗の違いに変換することでデータを記録する。従来の磁界書き込み型MRAMに比べて微細化に向いており、低コスト化、大容量化の潜在的可能性がある。既存のDRAMは、微細化がきわめて困難になってきたため、微細化の速度が落ちてきている。STT MRAMは書き換え回数や速度の点で申し分ないが、集積密度はDRAMのそれに達していない。このためMRAMは、3次元化する可能性が高い。

最近のプロセッサ・アーキテクチャは、レジスタとL1、L2、L3キャッシュメモリを同一チップ上に搭載しており、キャッシュは簡単にSoC面積の半分を超えてしまう。これらのレジスタとキャッシュは一般に6トランジスタ構成のSRAMで回路設計されている。一方、STT MRAMは、1トランジスタ1レジスタ(1T1R)とインターコネクト層のメモリセルで構成される。このため、STT MRAMを用いれば、SRAMよりも占有面積が1/4以下に減らせる。STT MRAMは上層DRAM用の16nmプロセスにSTT MRAMモジュールを加えるとコストが6%上昇するとIC Knowledgeは予測している。 STT MRAMは、最上層のキャッシュを置き換えるだけの潜在能力を有している。

IntelはMicronと共同で次世代不揮発性メモリ技術「3D XPoint Technology(3Dクロス・ポイント テクノロジー)」を2015年7月に発表している。3D Xpoint Technologyで主要なポイントは以下の3点となる。①NAND型フラッシュメモリに比べて、1000倍高速②DRAMと比べて、10倍高い記録密度③NAND型フラッシュメモリに比べて、1000倍長い書き換え寿命。3D XpointメモリをIntelは「Optane」、Micronは「QuantX」と別々のブランド名で発売予定であるが、その時期は未定で、量産は2017年以降になる模様である。Intelは2016年8月にシリコンバレーでOptane搭載のSSD試作品の公開デモを行った。1000倍高速などの表現はあくまでも目標値のようで、いまのところ実現はしていない。



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[ 2017年04月26日 11:07 ] カテゴリ:韓国経済 | TB(0) | CM(1)
事実
事実を述べると、次世代RAMは3DXポイントは米国がすでに製品化。ReRAMはパナソニックがすでに大量生産のために準備中。これが一番進んでいる。すでに製品に入れて好調だから大量生産。それも車載むけ。10年以上進んでいる。MRAM,FERAMなども日米がすでに生産化。ということです。韓国マスゴミさん、ごめんね~。現実言っちゃって。
[ 2017/04/26 11:34 ] [ 編集 ]
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