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【韓国経済】3DNAND型フラッシュ工場、サムスンが中国・西安に増設

サムスン電子が中国・西安に3次元(3D)NAND型フラッシュ工場を追加で作る。2014年に竣工した西安第1ラインに続き第2ラインを増設する。半導体業界関係者は「サムスン電子と中国地方政府が詰めの交渉を行っている。投資規模は最大10兆ウォン前後(約1兆円)、着工は9月ごろになる可能性が大きい」と話した。

西安工場増設は3DNAND型フラッシュ市場での圧倒的シェアを維持するためだ。サムスン電子は昨年末基準で3DNAND型フラッシュ市場の66%を占めるトップ企業だ。最近スマートフォン、パソコン用記憶装置を中心に3DNAND型フラッシュ需要が爆発的に増え、東芝やSKハイニックスなど後発企業も急速に投資を増やしている状況だ。この関係者は「後発企業の追撃により来年ごろにはサムスン電子の3DNAND型フラッシュ市場のシェアが50%以下に落ちる可能性もある。3DNAND型フラッシュは生産すればすぐに売れており、業界の投資競争は激しいだろう」と説明した。

2019年に稼動開始すると予想される西安第2ラインの3DNAND型フラッシュ生産量は月10万枚(ウエハー基準)水準だ。西安第1ラインと合わせれば西安で生産される3DNAND型フラッシュは月22万枚前後で、月20万枚を作るサムスン電子平沢(ピョンテク)工場と2大軸を構成する。
http://japanese.joins.com/




【管理人 補足記事&コメント】
メモリには大きく分けて「DRAM」と「フラッシュメモリ」とがある。今まではDRAMがメモリ市場を牽引してきた。しかし、数年前からNAND型フラッシュのほうが、DRAMより市場も大きく、成長率も高くなっている。2015年のDRAMの記憶容量は570億GBであったが、20年には1,750億GBになるとのことだ。その一方で、フラッシュメモリの15年の記憶容量は823億GBであったが、20年には5,084億GBへの成長が見込まれている。それによって、当然のことだが、韓国企業はフラッシュメモリへの大規模投資を実施している。

3次元NAND型フラッシュメモリ分野で少し出遅れていたSKハイニックスも、3次元NANDフラッシュを量産するため、清州(チョンジュ)工場に2兆2,000億ウォンの投資を決定。17年下半期には72層の3次元NANDフラッシュの量産を目指している。日本の東芝も3,600億円を投資し、滋賀県の四日市工場を増設すると発表している。東芝はもともとNAND型フラッシュメモリの元祖であるし、技術力もあって、東芝が投資と技術開発に集中できれば、サムスン電子にとって最も怖いライバルになる。

中国のXMC社もアメリカのスパンション社と提携して3次元NANDフラッシュの技術開発に着手した。ただ、NANDフラッシュメモリ工場の建設には、2年余りの時間が必要であるため、今後2~3年間は韓国企業の優位は保たれることが予想される。しかし、現在の莫大な投資は2~3年後の市場に何からの変化をもたらすだろう。

もう1つの市場の変動要因は、東芝の半導体事業の分社化である。東芝は先月30日に原発事業からの損失発生による財務的な懸念を解消する一方、半導体事業の投資財源を確保するため、半導体事業を分社化すると発表した。東芝と提携することが目されている相手は、現在の事業パートナーであり、HDDの世界最大手であるウェスタンデジタル。ウェスタンデジタルからしても、東芝は現在の事業パートナーであるし、戦略的な意味合いにおいても組みやすい相手と言える。

16年第3四半期のNAND型フラッシュメモリの市場シェアはサムスン電子が36.6%で1位、東芝は19.8%で2位、3位は17.1%でウェスタンデジタルになっている。3位のウェスタンデジタルと2位の東芝が一緒になると、シェア1位に躍り出る可能性は十分ある。サムスン電子にとっては、これは大きな脅威と言える。サムスンが中国・西安に増設するのも無理はないが…。



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[ 2017年05月29日 11:35 ] カテゴリ:韓国経済 | TB(0) | CM(0)
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