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サムスンが「第4世代Vナンド」の量産を本格化、半導体トップの座を固める

グローバルナンド型フラッシュ市場で独走を続けている三星(サムスン)電子が、「第4世代(64段)256ギガビット(Gb)の3bitVナンド型フラッシュ」の量産を本格的に開始した。 「トップの座を固める」ための取り組みと言える。15日、三星電子は、今年からナンド型フラッシュの全体生産量の半分以上を第4世代Vナンドに集中すると発表した。ナンド型フラッシュは、メモリ半導体の一種であり、Dラムとは違って、電源を切ってもデータが保存される特徴がある。そのため、スマートフォンなどのモバイル機器と次世代大容量記憶装置「ソリッドステートドライブ(SSD)」などに主に使われる。三星電子は、サーバー、PCなど第4世代Vナンドの適用製品群も大幅に拡大する計画だ。

三星電子側は、「1月にグローバルB2B(企業間取引)客に限定的に供給してきた第4世代256GbVナンドを、消費者向けSSD、メモリカードなどに本格的に拡大し、生産の割合も大幅に増やしてグローバル需要増加に対応する計画だ」と明らかにした。
現在、「グローバル半導体市場の大勢はナンド型フラッシュだ」ということに異存はない。ウェアラブル、ビッグデータ、モノのインターネット(IoT)、自律走行車など、第4次産業革命時代の主要キーワードと言われている新技術はすべて、相当な量の半導体を必要とするからだ。グローバル半導体企業各社が我先にDラムからナンド型フラッシュへと生産品を切り替えているのもこのためである。




半導体業界の関係者は、「今年から半導体業界の超長期的好況を意味する『スーパーサイクル(Super Cycle)』に差し掛かっていることを受け、メモリ半導体需要が大幅に増加しており、ナンド型フラッシュの成長は独歩的だ」と話した。市場調査機関「IHSマークイット」によると、2020年まで、ナンドフラッシュ市場は年平均6.1%と急成長するだろうと予想される。三星電子は、第4世代(64段)256GbVナンドの量産を開始することで、東芝、ウェスタンデジタルなど、競合他社との技術格差をさらに広げることができるようになった。

三星電子のVナンドは、情報を保存する空間であるセル(Cell)を、平面ではなく、垂直に積む方式である。同じ空間に一戸建て住宅を複数戸建てるよりも、マンション一棟を建てて、情報保存の効率性を高めたと考えると理解しやすい。ただ段数が高くなるほど、全体の構造がねじれたり最上階と最低階のセルの特性に差が生じたりするなどの問題が発生するので、高い技術力でそれを支えなければならない。三星電子は、「『超高集積セル構造・工程』『高速動作回路設計』などの技術を適用して、既存の第3世代(48段)の製品に比べ、速度と生産性、電力効率などをすべて30%以上向上させた」と強調した。
http://japanese.donga.com/

【管理人 補足記事&コメント】
東芝は昨年8月、単位面積当たりの容量を従来の1・4倍に高めた3次元(3D)構造NAND型フラッシュメモリーを開発したと発表した。記憶素子の積層数は64で、容量は32ギガバイト(ギガは10億)。サンプル出荷を始めており、2017年前半に量産を始ている。データセンター(DC)向けのソリッドステートドライブ(SSD)やスマートフォン、メモリーカードなどを中心に提供する。今後は容量を64ギガバイトまで高める計画だ。また同日、東芝と提携する米ウエスタンデジタルも64層の3D構造NAND型フラッシュメモリーの生産を始めたと発表している。10―11月に市販向け製品を量産し、出荷を始める。またOEM(相手先ブランド)生産向けは9月までにサンプル出荷を開始し、17年前半に量産体制を整える。

サムスンが最先端の半導体工場を建設するといった大規模な設備投資を実施しているわけで、日立国際電気や大日本スクリーン製造の業績も上向く事になる。半導体試験装置ではアドバンテストにメリットが及ぶ。また半導体製造装置で高いシェアを誇る東京エレクトロンは10年4〜6月期の韓国での売上高が約7.6倍の214億円に膨らんだ。サムスンの設備投資は日本企業にとってメリットは大きいわけだが、64層の3D構造NAND型フラッシュメモリーもCPUに組み込まれ、いずれはワンチップ化となるのではないか…。



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[ 2017年06月16日 09:43 ] カテゴリ:韓国経済 | TB(0) | CM(0)
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