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三星電子、ファウンドリ11ナノ工程を追加 中高級フォン用を強化

三星(サムスン)電子は11日、「ファウンドリ(半導体委託生産)事業分野に11ナノ新規工程(LPP=Low Power Plus)を追加する」と明らかにした。最高級はもとより、中・高級スマートフォン用半導体分野でもリーダーシップの強化に乗り出したのだ。

11ナノ工程とは、メモリ半導体の回路を11ナノメートル(1ナノメートルは10億分の1メートル)の厚さで刻むことを意味する。回路の厚さが狭いほど、より細かくて精巧に刻むという意味で、同じ広さにより多くの保存容量を実現できるようになる。11LPP工程は、従来の14ナノ工程に比べて、同じ消費電力で性能は最大で15%向上させ、チップ面積は最大10%まで減らすことができる。ギャラクシーノート8など、現在の最高級スマートフォンには10ナノ級プロセッサが搭載されるが、三星電子は11LPP工程を通じて、成長を続ける中・高級スマートフォンプロセッサ分野の顧客らにも改善された製品を提供する計画だ。11LPP工程は、来年上半期(1~6月)に生産に着手する予定だ。




また三星電子は、半導体業界では初めて極紫外線(EUV)技術を適用した7ナノ工程を、来年下半期(7~12月)の生産開始を目標に順調に開発している。これまでこの工程の開発のために使われたウェハーは約20万枚に達し、これまで蓄積された経験をもとに、ファウンドリ工程の量産完成度を示す目安である「SRAM」(256Mb)の収率を80%にまで引き上げるなど、成果が現れている。
三星電子の李相鉉(イ・サンヒョン)ファウンドリ事業部マーケティングチーム長(常務)は、「11LPP工程を通じて、顧客らはすでに実証された14ナノ工程の安定性に性能向上を加えた製品を作ることができるだろう」と語り、「14、11、10、8、7ナノに至るロードマップを完成した」と明らかにした。三星電子は15日、日本の東京で、「三星ファウンドリフォーラム」を開いて、このような内容を発表する予定だ。
http://japanese.donga.com/

【管理人 補足記事&コメント】
ハイエンドスマートフォンは、米Qualcommの「Snapdragon 835」をはじめ、最新の10nm(ナノメートル)プロセスで製造されたチップを搭載する。有名な経験則であるムーアの法則が続く中、これから2年後には、7nmの製造プロセスを使って、さらなる高速化と小型化を実現したスマートフォン用チップが登場する可能性が高い。 スマートフォン用チップで圧倒的なシェアを持つチップ設計企業の英ARMは2016年12月5日、7nmのチップ製造に向けて、半導体製造大手の台湾TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing)と進めている協業について発表した。ARMは、TSMCの7nm製造プロセス向けのチップ設計の知的財産(IP)をライセンスする。

ARMの物理設計グループのマーケティング担当バイスプレジデント、Ron Moore氏によると、TSMCの7nm製造プロセスを使ったチップの生産は2018年に始まる予定だ。ARMの試験によると、7nmプロセスのチップは、TSMCの16nmプロセスに基づくチップに比べて、速度が15~20%優れている。スマートフォン用チップメーカーがアーキテクチャーを調整することで、パフォーマンスはさらに高まる。 TSMCのライバルである米GLOBALFOUNDRIESも7nmプロセスへの移行を進めており、製造は2018年に始まる可能性がある。韓国Samsung Electronicsは7nmの計画について公にしていない。米Intelは、7nmを視野に入れていると話しており、同社のロードマップに7nmが入っていることになるが、具体的な導入時期は述べていない。



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[ 2017年09月13日 10:33 ] カテゴリ:韓国経済 | TB(0) | CM(0)
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