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「難攻不落」の三星半導体…10ナノ級第2世代のDラムを世界初量産

三星(サムスン)電子が主力商品であるDラムにおいて再び世代交代を達成したことで、生産性を30%も高めた。ライバルが到底ついてこられないほどの技術格差を維持する三星電子の「超格差戦略」にさらに拍車がかかるものと見られる。

三星電子は「先月から世界で初めて10ナノ級2世代(1yナノ)のDラムである『10ナノ級8Gb(ギガビット)DDR4(Double Data Rate 4)』を量産している」と、20日明らかにした。1ナノ(ナノメートル)は、10億分の1メートルであり、10ナノ級というのは、回路の太さ(線幅)が10ナノ台という意味である。一般的に回路の幅が細いほど、半導体の主材料であるウェハーに刻めるチップ数が多くなり、生産性が高くなる。同じ工程で、より多くの製品を作ることができるので、価格競争力が高くなるからである。三星電子は、「第1世代の製品に比べて生産性が30%も高くなった」と説明した。

三星電子は昨年2月に10ナノ級第1世代の8GbDラムの量産に成功して、世界初の10ナノ級Dラム時代を切り開いたことがある。今回回路の幅を更に狭め、世界でチップのサイズが最も小さい第2世代製品の量産に成功したことで、21ヶ月ぶりに半導体微細工程の難題を再び自ら克服した。特に、次世代製品を作るために欠かせないと思われてきた「極紫外線(EUV)の露光装置」を導入する前に、製品の改善を実現したで、世界のプレミアムDラム需要の増加に適時に対応できる競争力を構築することになった。


今回のDラム製品は、高速・超節電・超小型回路の設計が適用された。既存の第1世代の製品に比べて速度は10%以上速くなり、消費電力量は15%以上も削減された。三星が2012年に量産した20ナノ級4GbDDR3に比べると、容量と速度、消費電力効率が2倍に向上した。また、セルに保存されたデータをより正確に確認して、セルデータの読み取り能力を2倍以上に向上させる「超高感度セルデータセンシングシステム設計」、電流が流れる微細領域をこれまで使っていた物質の代わりに絶縁効果の高い空気で満たす「第2世代エアギャップ工程」などが適用された。



今回の製品開発により、三星はライバル各社が到底追いつけないほどの技術格差を広げる「超格差戦略」を維持できるようになった。現在、世界でDラムを生産する企業のうち、シェアが3%以上の企業は、三星電子(45.8%)とSKハイニックス(28.7%)、米マイクロン(21.0%)だけだ。SKハイニックスは先月になってようやく10ナノ級の壁を突破し、マイクロンはまだ20ナノ級にとどまっていることが分かった。
http://japanese.donga.com/

韓国サムスン電子は20日、新型DRAMの量産を始めたと発表した。回路線幅は最先端の10ナノ(ナノは10億分の1)メートル級で、微細化により生産効率を3割高めた。世界で拡大するデータセンター向け需要などに対応する。サムスンは半導体メモリーで世界首位。先端製品の量産で先行し、米国や日本メーカーなどのライバルを引き離す。量産を始めたのは、サムスンが「第2世代」と呼ぶ10ナノ級DRAMで、記憶容量は8ギガ(ギガは10億)ビット。新設計の採用でデータ転送速度は従来品より10%以上速くなり、消費電力も15%以上減らした。主にデータセンターのサーバー向けで、新技術をスマートフォン(スマホ)などモバイル向けDRAMにも適用する方針だ。

サムスンは2016年2月に10ナノ級DRAMの量産を始めた。同社は「メーカーごとに基準が異なる」として具体的な数値を明らかにしていないが、アナリストは「従来品は18ナノで、今回は15~16ナノまで微細化が進んだ」と分析する。微細化が進むほど1枚のシリコンウエハーから生産できるメモリーの数が増え、生産性が高まる。これにより、サムスンのDRAMは一部の用途を除き、ほぼ全量が10ナノ級になる。ビッグデータや人工知能(AI)の普及に伴うデータ量の爆発的な増加で、DRAMやNAND型フラッシュメモリーの需要は急拡大している。サムスンの半導体部門の営業利益は2017年7~9月期に9兆9600億ウォンと前年同期の3倍弱に拡大。4四半期連続で最高益を更新した。

半導体メモリーは世界的に不足しており、需要が従来型の市況サイクルを超えて伸びる「スーパーサイクル」と呼ぶ現象が起きているとの見方もある。韓国野村証券は「DRAMの需給逼迫は来年も続く」と指摘する。サムスンは先端製品への移行で生産量を増やし、旺盛な需要に対応する。

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[ 2017年12月22日 11:43 ] カテゴリ:韓国経済 | TB(0) | CM(0)
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