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サムスン「西安工場」の弱点をつけ!東芝メモリ、3Dメモリーの増産戦略

東芝の半導体子会社の東芝メモリは、2022年度までの5年間で先進の3次元(3D)NAND型フラッシュメモリー工場を最大2棟追加建設し、4棟稼働させる。市場が想定通りに拡大すれば、建設計画を進めている四日市工場(三重県四日市市)第6棟と岩手県北上市の新工場の稼働後に、両工場それぞれで追加で新棟を建設する。

NANDメモリーはスマートフォンやデータセンター(DC)向けに需要が伸びる見通し。東芝メモリは積極投資により出荷額でシェア首位の韓国サムスン電子を追撃する。 東芝メモリは四日市工場第6棟を今夏に稼働する。北上工場は20年頃の量産開始としてきたが、19年秋に前倒しする。その後、市況を見つつ四日市工場第7棟、北上工場第2棟の順に着手する意向だ。四日市工場第7棟については現在、土地買収を進めている。交渉状況によっては先に北上工場第2棟の建設を始める計画。一連の設備投資は3兆円を超え、提携先の米ウエスタンデジタルと分担する考えだ。

東芝は、東芝メモリを米ファンドのベインキャピタルが主導する企業連合に売却する。ベインは東芝メモリの設備投資を支援する姿勢を示している。 18年に入り米アップルや米グーグルがDC投資を積極化する計画を表明。3D構造NANDメモリーのDC向け需要は安定的に伸びる見通しだ。また20年に第5世代通信(5G)が始まれば、スマホ向けに大容量化が求められるとの指摘もある。


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サムスンは16―17年にNANDメモリー関連で巨額の設備投資を実施した。足元ではNANDメモリーと同様にDC向け需要が伸びるDRAM向けに投資を振り向けているが、主力の中国・西安工場、韓国・平沢工場でのNANDメモリーの増産投資計画もある。
http://news.livedoor.com/

東芝は6月28日、3D NANDフラッシュ「BiCS FLASH」の96層積層プロセスを適用した製品の試作成功を発表した。2017年後半のサンプル出荷、さらに2018年の量産開始を計画している。今回開発された96層品は256ギガビット(32ギガバイト)TLCで、データセンタ向けエンタープライズSSDやPC向けSSD、スマートフォン、タブレット、メモリカード等の用途を見込む。 3D NANDフラッシュに関しては、量産レベルにおける最多層品が韓Samsung Electronics社の64層品で、試作レベルとしては韓SK Hynix社が2017年4月に発表した72層品が最多層となる。96層品の開発成功は快挙と言えるだろう。 96層品は、同社の四日市工場第5製造棟、新・第2製造棟に加えて、第6製造棟でも量産する。第6製造棟は現在建設中で、第1期分建屋に96層向けのエッチング装置や成膜装置を導入すると発表した。第1期分は、2018年夏の竣工を予定している。

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[ 2018年03月21日 10:02 ] カテゴリ:韓国経済 | TB(0) | CM(1)
対してサムスンは減産している。実はTSMCもサムスンもEUVを使った微細化に失敗している。マスコミの言うことは信じてはいけない。東芝がやろうとしていることとサムスンでは大きな差があります。東芝は技術ではリードしているんですかね!マスゴミさん!
[ 2018/03/21 22:33 ] [ 編集 ]
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