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東芝メモリが米に研究開発拠点、アマゾンやグーグルの大規模DC狙う

東芝メモリは、データセンター(DC)向けNAND型フラッシュメモリー事業を強化する。米国にメモリー製品や関連ソフトウエアの開発やテストなどを手がける研究開発拠点を開設した。顧客への対応を迅速化するのが狙い。主要なDC、サーバーメーカーが集積する現地で同拠点を橋頭堡(ほ)とし、成長市場を取り込む。

米国で本格的な活動を始めた「ストレージ・リサーチ・アンド・デベロップメント・センター」は、カリフォルニア州フォルサム市を中心に計3拠点があり、人員は計160人。ハイパースケール(超大規模)DC向けに、顧客ごとに最適化したソリッド・ステート・ドライブ(SSD)制御用のファームウエアの開発や、SSDの顧客向け認定テストなどを手がける。 データ量の増大により、DC市場は今後も拡大する見通し。米シスコシステムズによれば、ハイパースケールDCの数は2020年に15年比1・9倍の485カ所に増える見込みで、全体の47%を占めるまでになると予測する。東芝メモリも同市場を最大の商機と捉え、成毛社長は「DCに注力する」との方針を示している。

一方、同社は高速データ通信が可能な規格「SAS」が使われる先端分野では約35%のシェアを持つが、15年以降に東芝本体で起きた不適切会計や、海外原子力発電事業での巨額減損による経営危機の影響もあり、DC市場全体のシェアは大きくない。エンタープライズ向けSSD市場では、米インテルや韓国サムスン電子にシェアで大きく水をあけられている状況だ。
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2020年には40ZB(ゼッタバイト:テラバイトの10億倍)以上のデータ量が生み出され、情報爆発が起こると言われるほど、ビッグデータの時代は加速的に進み続けている。 システム技術研究開発センターは、こうした流れを捉えながら、3年後・5年後・10年後に、コンピュータシステムやストレージがメモリデバイスに何を求めているのか。将来的なソリューションを追求しているとした。具体的には、NAND型フラッシュメモリの誤り訂正や低消費電力化、インターフェースの高速化といった要素技術を開発し、さらに、新規開発のソフトウェア含めSSD及びフラッシュメモリ応用システムに適用していくのが3年先までのテーマだという。

野村証券の試算によれば、2015年に、人類が生み出したデータ量は15ZB、そのうち解析可能なデータ量は2ZB、また15ZBのうちストレージされたデータ量は15%の1.2ZBだったという。既に解析可能なデータ量より、ストレージされたデータ量が少ないことから、HDDやNANDが不足している。2020年には、人類が生み出すデータ量は44ZBに膨張しており、解析可能なデータ量は15ZBとなっている。これをストレージするのに必要なNANDの生産キャパシティはどのくらいになるか。2020年に、NANDはほとんど3次元化しており、そのボリュームゾーンの集積度は512GBになっていると思われる。

SSDがHDDの70%を代替した場合、必要な3次元NANDのキャパは月産3424万枚、月産10万枚のギガファブが342棟必要になる。もし、SSDがHDDを100%代替すれば、必要な3次元NANDのキャパは月産4961万枚となり、月産10万枚のギガファブが496棟必要になる。 ギガファブ1棟建設するのに最低1兆円必要であるため、342棟建設するとなると342兆円必要となる。これは土台無理な話であるため、現実では10~15棟が建設されつつある。しかし、これは狂乱の3次元NAND投資のほんの始まりに過ぎない。 東芝メモリの主力製品である3次元NANDは、このような狂気に満ちたマーケットが予想される半導体メモリなのだ。

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[ 2018年06月17日 09:36 ] カテゴリ:日本経済 | TB(0) | CM(0)
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