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サムスン電子は16日、1秒間に高画質の映画14本を一度に伝送できる業界最速の「8Gb（ギガバイト） LPDDR5 DRAM」を開発したと発表した。半導体業界は今回の開発でサムスン電子が競合社とのDRAM技術の差を1－2年広げたと評価している。

DRAMはスマートフォンに主に搭載される。新製品の名称のうち、8Gbはメモリ容量、LPDDR5は性能と消費電力を意味する。同社が2014年に「8Gb LPDDR4 DRAM」を開発して以降、新製品の開発まで4年を要した。

新製品は既存製品よりも処理速度が1.5倍速い。1秒当たりの処理能力が4266Mb（メガバイト）から6200Mbに向上した。同社関係者は「スマートフォンのアプリを同時に多数開いても無理なく処理を実行できる」と説明した。速度が向上しただけでなく、消費電力も既存製品より30％節減した。

サムスンは年内に試験的に量産体制に入り、来年発売するスマートフォン「ギャラクシー」の新機種に搭載する計画だ。同社メモリ事業部のハン・ジンマン専務は「業界最高の技術力でプレミアムメモリ市場を拡大していく」と述べた。
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Samsung Electronicsは17日(韓国時間)、業界初とする10nmクラスの8Gb LPDDR5 DRAMの開発に成功したと発表した。高速性と省電力性を備え、AIや機械学習での活用や、モバイルデバイスへの普及を狙う。　8Gb LPDDR5 DRAMは、最大6,400Mbps以上のデータレートを備え、4,266Mbpsで駆動する現在のフラグシップDRAMのLPDDR4Xよりも1.5倍高速。転送レートは51.2GBに達し、フルHDの映像14本(1本あたり3.7GB)を1秒以内に転送可能。1.1Vで駆動する6,400Mbps版と、1.05Vで駆動する5,500Mbps版を提供する。

また、最大限の省電力化を図るために、対応アプリによって動作速度を変更するアクティブモードを搭載。セルに対して“0”で上書きしないように防ぐ機能も備える。さらに、ディープスリープモードによって、LPDDR4X DRAMのアイドルモード対して消費電力を半減できる。これらによって、30%以上の省電力化が達成できるという。　同社はすでに8Gb LPDDR5チップを使用したプロトタイプ版8GB LPDDR5 DRAMパッケージのテストと検証をすませており、今後量産を開始予定としている。

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