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中国半導体の空襲…「サムスンより速い32段NAND量産」

中国のNAND追撃速度は脅威的だ。専門家らは韓国が可視化する中国の空襲を引き離し世界トップの座を守るためには「超格差戦略」が必要と口をそろえる。漢陽大学電子融合工学部のパク・ジェグン教授は「人工知能(AI)、5G、クラウドなどで代表される第4次産業時代には高性能・高容量メモリー半導体の需要が増えるだろう。莫大な資源を背にした中国を引き離すためには手を出せない水準の圧倒的技術的優位を占めなければならない」と話す。

サムスン電子は京畿道平沢市(キョンギド・ピョンテクシ)に30兆ウォン以上を投資して半導体ラインを追加建設する計画だ。SKハイニックスも15兆ウォンを投じて京畿道利川市(イチョンシ)に半導体工場を新しく建てる。 最近サムスン電子メモリー事業部フラッシュ開発室長のキョン・ゲヒョン副社長は「V NANDのラインナップを拡大し次世代メモリー市場の変化をさらに加速化するだろう」と明らかにした。 中小協力企業や学界との連係も強化する。

SKハイニックスは「技術革新企業制度」を運用している。専従組織を作り技術革新企業と指定された企業に研究開発・製造・購入まで支援する。サムスンも現在年間400億ウォン規模である産学協力を年1000億ウォン水準に拡大する計画を8日に明らかにした。

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韓国の代表企業がメモリー半導体で中国との格差を広げるのに力を入れる間に韓国政府は相対的に遅れを取った非メモリー半導体育成に出る。産業通商資源部の白雲揆(ペク・ウンギュ)長官は先月30日、「10年間に(半導体産業に)1兆5000億ウォンを投資する」と明らかにした。 このため先月31日には「システム半導体設計支援センター」を設置した。技術開発・投資誘致・マーケティングなど、創業から成長まで非メモリー半導体スタートアップの全過程を支援するということだ。
http://japanese.joins.com/

米Micron Technologyと米Intelは1月8日(米国時間)、2018年末から2019年はじめにかけて出荷される予定の第3世代の3D NAND(96層)技術の開発完了をもって、NAND開発の協業を解消することで合意したと発表している。そうした中、台湾TrendForceのメモリ市場調査部門であるDRAMeXchangeは3月1日付けで、「Intelは中国の清華紫光集団と、NANDの提供と販売について現在協議中である」と報じている。Intelは中国市場の攻略に最大の関心を寄せており、CPU、モデム、メモリ製品を含むさまざまな製品で協業や合弁事業の機会を積極的に探っている。また、Intelは中国での半導体生産能力を拡大させており、すでに大連の工場は3D-NANDの量産を開始している。大連工場の生産能力は継続的に上昇する。

清華紫光集団のストレージ事業部門であるUNIC Memory Technologyは、Intelと長期的な戦略的協力関係について協議を行っているとも見られており、今回の協議が合意に至れば、UNICはIntelが提供する300mm NANDウェハの最終検査(テスト)、パッケージング(実装)および販売を担当することになる。

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[ 2018年08月09日 09:35 ] カテゴリ:韓国経済 | TB(0) | CM(0)
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