サムスン電子、中国西安半導体工場の生産量50%増へ
サムスン電子が3次元(3D)NAND型フラッシュメモリーを生産する中国西安工場の生産量を増やす。現在、毎月ウェハー(半導体の原材料のシリコン基板)4万-5万枚ほど生産しているが、今年中に6万-7万枚レベルに増設する計画だ。データ保存用サーバーに使われるソリッドステートドライブ(SSD)などを中心に速いペースで増えている3D NANDの需要に対応するためだ。
業界とサムスン電子によると、サムスンは西安工場の生産量を増やすために関連装備を発注している。サムスン事情に詳しい関係者は「月間ウェハー生産量を年末までに現在より2万枚ほど増やすだろう」とし「新しいラインを作るのではなく、1ラインの生産量を増やす形式」と説明した。当初、1つのラインが最大月10万枚のウェハーを生産する規模で構築された。
3D NANDは平面NANDを上に積んだものだ。平面NANDの微細化が極限レベルに達すると、積層する方法で容量を増やした。3D NANDは平面製品に比べて保存速度が速く寿命が長いが、消費電力はむしろ少ない。サムスンは昨年5月から唯一、3D NANDを量産し、第2世代の32層製品も生産している。ライバル企業の東芝、マイクロン、SKハイニックスは今年下半期から3D NANDの量産を開始する計画だ。
サムスンが3D NANDの生産量を増やし、ライバル企業も相次いで生産に入るのは、それだけ市場が急速に拡大しているからだ。NANDは普通SSDという保存装置に作られ、パソコンやサーバーなどに搭載される。3D NAND基盤のSSD市場規模は今年の15万台から2019年には9340万台へと60倍以上に拡大する見込みだ(市場調査会社IHS推定)。
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業界関係者は「ビッグデータ時代が開かれるほど大量のデータを少ない電気使用で速く保存しなければいけない」とし「3D NAND市場はますます拡大していくだろう」と説明した。 サムスンは西安工場を3D NAND生産核心工場に育成する計画だ。昨年初めて3D NANDの量産を始め、今年4月からは半導体を点検して包装する後工程ラインを稼働し始めた。 今後も生産量を増やすという。西安工場は工場全体敷地34万坪のうち7万坪しか使用していない。ここで計3ライン、月ウェハー生産量30万枚まで増設が可能というのが業界の説明だ。
韓国経済新聞 中央日報
http://japanese.joins.com/article/054/202054.html?servcode=300§code=320
【管理人 補足記事&コメント】
3D立体に積み重ねることで大容量化した新しいNANDフラッシュメモリだ。3D NANDの登場で、NANDフラッシュは新しいステージへと踏み出した。ロジックトランジスタが2D平面のプレーナから3Dトランジスタになったのと同じように、3D積層型メモリセルへと転換が始まった。 3D化は、言ってみれば、これまで平屋を並べていた街を、高層ビルの都市に変えてキャパシティを増やす。NANDだけでなく、今後の新しい不揮発性メモリ技術には、ReRAMのように3D積層化で大容量を実現するものが多い。メモリセルの立体化による構造転換の始まりを示すのが3D NANDだ。
Samsungのシナリオ通りに行くなら、3D NANDは今後、ワンチップで128G-bit(16GB)の容量から、倍々に容量を増やし、数年でワンチップ1T-bit(128GB)の夢の大台に到達する。1~2個のチップで、現在の標準的なノートPC向けSSDの量を実現できてしまう大容量だ。Samsungは、Flash Memory Summitのパネルディスカッションで2016~17年のタイムフレームで1T-bit(128GB)を実現すると説明した。実際の製品として市場に出るのはずれ込むとしても、ペースとしては4~6四半期で倍々に容量を増やして行くことになる。
Samsungはかつて、1年でNAND容量が2倍になるという「ファンの法則(Hwang's Law)」を提唱していた。しかし、ここ数年は容量増大のペースは鈍化しており、現在の最大容量である128G-bitへの移行はかなり遅れている。64G-bitでの足踏みが続いていたのは、NANDのメモリセルが小さくなりすぎたことで、プロセスの微細化のペースが鈍化したからだ。現在の各社の先端製造プロセスは20~19nmで、16nmプロセスをMicronが発表したばかり。しかし、今後、微細化を10nm以下にまで続けて行くことは非常に難しい。
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/kaigai/20130819_611653.html
中国企業レノボはPC市場のシェア1位であるから、3D NAND SSDをどんどん中国企業へ納入しやすくなったことだろう。サムスンの中国西安工場の半導体工場は、そのための工場となるだろうから、PC市場は中国にとってもサムスンにとっても重要な事業となるだろう。
だた3D NANDとなると製造コストが高いという部分で、サムスンはどうのように対応するのか…、という課題もある。
さらに大容量へ移行しているノートPCであるが、現状はまだまだSSDというわけにはゆかないようだ。
業界とサムスン電子によると、サムスンは西安工場の生産量を増やすために関連装備を発注している。サムスン事情に詳しい関係者は「月間ウェハー生産量を年末までに現在より2万枚ほど増やすだろう」とし「新しいラインを作るのではなく、1ラインの生産量を増やす形式」と説明した。当初、1つのラインが最大月10万枚のウェハーを生産する規模で構築された。
3D NANDは平面NANDを上に積んだものだ。平面NANDの微細化が極限レベルに達すると、積層する方法で容量を増やした。3D NANDは平面製品に比べて保存速度が速く寿命が長いが、消費電力はむしろ少ない。サムスンは昨年5月から唯一、3D NANDを量産し、第2世代の32層製品も生産している。ライバル企業の東芝、マイクロン、SKハイニックスは今年下半期から3D NANDの量産を開始する計画だ。
サムスンが3D NANDの生産量を増やし、ライバル企業も相次いで生産に入るのは、それだけ市場が急速に拡大しているからだ。NANDは普通SSDという保存装置に作られ、パソコンやサーバーなどに搭載される。3D NAND基盤のSSD市場規模は今年の15万台から2019年には9340万台へと60倍以上に拡大する見込みだ(市場調査会社IHS推定)。
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業界関係者は「ビッグデータ時代が開かれるほど大量のデータを少ない電気使用で速く保存しなければいけない」とし「3D NAND市場はますます拡大していくだろう」と説明した。 サムスンは西安工場を3D NAND生産核心工場に育成する計画だ。昨年初めて3D NANDの量産を始め、今年4月からは半導体を点検して包装する後工程ラインを稼働し始めた。 今後も生産量を増やすという。西安工場は工場全体敷地34万坪のうち7万坪しか使用していない。ここで計3ライン、月ウェハー生産量30万枚まで増設が可能というのが業界の説明だ。
韓国経済新聞 中央日報
http://japanese.joins.com/article/054/202054.html?servcode=300§code=320
【管理人 補足記事&コメント】
3D立体に積み重ねることで大容量化した新しいNANDフラッシュメモリだ。3D NANDの登場で、NANDフラッシュは新しいステージへと踏み出した。ロジックトランジスタが2D平面のプレーナから3Dトランジスタになったのと同じように、3D積層型メモリセルへと転換が始まった。 3D化は、言ってみれば、これまで平屋を並べていた街を、高層ビルの都市に変えてキャパシティを増やす。NANDだけでなく、今後の新しい不揮発性メモリ技術には、ReRAMのように3D積層化で大容量を実現するものが多い。メモリセルの立体化による構造転換の始まりを示すのが3D NANDだ。
Samsungのシナリオ通りに行くなら、3D NANDは今後、ワンチップで128G-bit(16GB)の容量から、倍々に容量を増やし、数年でワンチップ1T-bit(128GB)の夢の大台に到達する。1~2個のチップで、現在の標準的なノートPC向けSSDの量を実現できてしまう大容量だ。Samsungは、Flash Memory Summitのパネルディスカッションで2016~17年のタイムフレームで1T-bit(128GB)を実現すると説明した。実際の製品として市場に出るのはずれ込むとしても、ペースとしては4~6四半期で倍々に容量を増やして行くことになる。
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