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ＳＫハイニックスが３次元（３Ｄ）ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー半導体の量産に入った。サムスン電子に続き世界で２番目だ。３次元ＮＡＮＤは情報を保存するセルを水平ではなく垂直に積み重ねて容量とスピードを大幅に改善した製品だ。

ＳＫハイニックスは最近、忠清北道清州市（チュンチョンブクド・チョンジュシ）のＭ１２生産ラインで３６段の３次元ＮＡＮＤの量産を始めたと２８日明らかにした。ウエハーを工程に投入して１カ月半ほど後の４月初めに最初の製品が出てくる。競争会社である日本の東芝や米国のマイクロンはまだ３次元ＮＡＮＤを生産することができずにいる。 会社関係者は「今年の年末には４８段の３次元ＮＡＮＤの開発を終わらせて生産できる」としながら「７２段製品も開発している」と話した。ＳＫハイニックスはＤＲＡＭ市場では世界２位だが、ＮＡＮＤ市場では５位にとどまっている。

ＳＫハイニックスは最近、平面ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー製品も１４ナノメートル（１ナノメートル＝１０億分の１メートル）微細工程を通じて生産を始めた。１４ナノメートル微細工程の導入はサムスン電子には９カ月ほどの遅れをとったがマイクロンよりも先行している。
中央日報
http://japanese.joins.com/article/627/212627.html?servcode=300§code=320

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【管理人 補足記事＆コメント】
微細化に見切りをつけて3次元化するフラッシュメモリ
微細化が最初に行き詰まる半導体デバイスは、いままで最も速いペースで世代交代が行われてきたNANDフラッシュメモリであろう。フラッシュメモリ市場において、トップを走るサムスンに肉薄する東芝は現在15nm フラッシュメモリ（ワード線の配線ピッチの1/2（＝ハーフピッチ）の長さが15nmの製品）の生産を同社四日市工場で量産している。



微細化をすることなく大容量化とビットコストの低減を図る方法として新たに登場してきたのが、セルアレイ（セルの配列）を上に積み上げていくメモリの3次元化である。当初、平面メモリセルアレイをそのまま積み上げていく方式が考案されたが、メモリ層を一層追加するたびに最小線幅のパターンを焼き付けるリソグラフィ工程（製造工程の中で最もコストが高い露光の工程）を経ねばならず、コスト低減が出来なかった。

東芝は積層数によらず露光及び加工工数を一定に保てる手法を開発し、すでに2007年にそのコンセプトを公表している。最初の発表以来、7年以上に渡り改良を重ね実用化した。しかし経営不正門だで自滅した。今後はDRAMも3次元化で高性能化するだろう。問題は価格下落の激しい部品だけに、買収を続けている中国企業にもチャンスが出てくるのではないか…。

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