韓国経済News

中国が来年末から本格的にDRAMなどメモリー半導体の量産に入る見通しだ。韓国半導体産業を脅かす中国製半導体の台頭が現実となり始めた格好だ。

台湾のIT専門メディア、Cタイムズは21日、市場調査会社、トレンドフォースの調査結果を引用し、中国が福建省晋華集成電路（福建晋華）、睿力集成電路（イノトロン・メモリー）、清華紫光集団（清華ユニグループ）など自国企業中心にメモリー半導体事業の拡大に乗り出したと伝えた。トレンドフォースは「中国は政府が大規模投資を支援し、韓国、日本、台湾から優秀な技術人材を迎え入れており、米マイクロンなど海外メーカーとの技術協力で半導体製造プロセスの開発に拍車をかけている」とした上で、「2018年末にはメモリー半導体の量産が可能になる」と予想した。特に福建晋華はサーバー用など高付加価値のDRAMに集中。イノトロンはモバイル用DRAM、清華ユニのメモリー子会社である長江在儲科技（YMTC）は3次元（3D）NAND型フラッシュメモリーに注力する予定だ。

業界は中国が全世界のスマートフォン生産の40％を担っている以上、内需市場を活用しただけでも半導体の技術競争力が急激に向上すると予想している。トレンドフォースは「中国のメモリー半導体台頭の結果は3－5年以内に表れる」とし、「現在世界の半導体市場を掌握しているサムスン電子、SKハイニックス、インテルなど既存メーカーの中国市場でのシェアが大幅に低下する可能性がある」との見通しを示した。
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今年２月にTsinghua Unigroupが、300億米ドルを投じて中国の南京にメモリチップ工場を建設する計画を発表した。これは、多くの中国の専門家にとっても予想外の動きだったといえる。中国のメモリ製造に関しては現在、中国の武漢に拠点を置く知名度の高いXMCでさえも先行き不透明とされている中、今回のTsinghua Unigroupの発表は、理解し難い動きだ。　しかし、今回のTsinghua Unigroupの南京工場に関する発表は、「世界のメモリ市場を支配したい」とする中国の決意を示しているといえる。

中国は、さまざまな課題が山積しているにもかかわらず、前進し続けている。こうした課題の中でも、特に重大な問題として挙げられるのが、経験豊富なメモリチップ関連のエンジニアが不足していることや、経営の専門家の不足が掲げられる。中国はここ数カ月の間に、外国企業に対して買収提案を行っているが、いずれもCIFUSからの圧力によって阻止され、断念せざるを得ない結果に終わっている。中国の事業体がこのような圧力を受けた場合、海外のメモリチップメーカーを買収することはほぼ不可能だ。「Tsinghua Unigroupは2016年に、武漢においてメモリ製造工場の建設に着手した。今年はさらに2つの半導体製造工場を、成都と南京に建設している。これら3つの工場建設プロジェクトへの投資資金は、700億米ドルを超える。

だが、Tsinghua Unigroupの増強計画は、実に素晴らしい。しかし中には、「工場建設とその運営とは別のものだ」とする批判の声もある。特に、3D NAND型フラッシュメモリのような複雑な製品を製造する場合、工場の運営は非常に難しい。技術者を大量にヘッドハンティングしている理由でもある。

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