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96層の4D・NAND型フラッシュをSKハイニックスが初開発

SKハイニックスは4日、既存の3D(3次元)NAND型フラッシュメモリ半導体製品よりさらに一歩進んだ「4D・NAND型フラッシュ」の開発に成功したと明らかにした。 3D・NAND型フラッシュに主に適用されるCTF構造にPUC技術を結合して、96層512Gb(ギガビット)級TLC(トリプルレベルセル)4D・NAND型フラッシュを、世界で初めて開発した。CTFとは、セル間の干渉を最小限に抑えることで、性能と生産性を改善した技術であり、PUCは、データストレージセル領域の下部に、セルの動作をつかさどる周辺部回路を配置する技術だ。CTFは、ほとんどの企業が3D・NAND型に採用しているが、それにPUCを導入したのは、SKハイニックスが初めてだ。

これにより、既存の72段3D・NAND型よりチップのサイズは30%以上小さくなり、1ウェーハー当たりの生産性は1.5倍に増えた。チップ1個で既存の256Gb・3D・NAND型2個に代替できるので、生産コストを下げることができる。同時に処理可能なデータは、業界最高レベル(64kB・キロバイト)であり、書き込みと読み取り性能も72段の製品よりそれぞれ30%と25%向上した。SKハイニックスは、今回開発した4D・NAND型製品を搭載した1TB(テラバイト)容量の消費者向けSSD(ソリッドステートドライブ)を今年中に披露する。来年は72段基盤の企業向けSSDを96層に切り替える予定だ。
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東芝は、3次元フラッシュメモリの96層積層プロセスを適用した4ビット/セル(QLC)製品を試作し、基本動作を確認している。QLCは従来の3ビット/セル(TLC)と比較し、1つのメモリセルに記憶されるビット数が1ビット増え、4ビットになることで、さらなる大容量のメモリ製品の提供が可能となる。9月上旬からSSDメーカーやコントローラーメーカーにサンプル提供を開始し、2019年に量産開始を予定だ。

また、ひとつのパッケージに16段積層することで2.66テラバイトの大容量を実現することが可能になります。現在、SNSの普及やIoTの進展によりモバイル端末などで生成されるデータ量は増加しており、また、そのデータをリアルタイムに解析、活用したいというニーズは飛躍的に増えていくことが予想されます。そのため、大容量かつHDDより高速なストレージが求められ、96層積層プロセスを用いたQLC製品はその実現に貢献するとしている。

3D NANDフラッシュ技術では、記憶密度の拡大手段は、高層化である。セルストリングを構成するメモリセルの積層数を増やすことによって、シリコン面積当たりのセル数、すなわち記憶するビット数を拡大する。リソグラフィ技術による微細化には、基本的には頼らない。

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[ 2018年11月05日 09:12 ] カテゴリ:韓国経済 | TB(0) | CM(0)
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