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サムスン・ハイニックス、最高の半導体で中国に「超格差」戦略

韓国半導体業界が中国との格差を広げる。韓国半導体業界の二本柱のサムスン電子とSKハイニックスが相次いで世界最高水準の技術を適用したメモリー半導体の量産を始め、「超格差戦略」に拍車を加えている。 SKハイニックスは第2世代10ナノ(1y)級微細工程を適用した86Gb DDR4 DRAMを開発したと12日、明らかにした。この製品は以前の製品の第1世代(1x)に比べて生産性は20%高く、電力消費は15%低い。データ伝送時にやり取りする信号を以前の倍に増やし、データ伝送速度は業界最高レベルだ。

SKハイニックスDRAMマーケティング担当のキム・ソク常務は「高速道路の料金精算所を増やせば車の通行が円滑になる原理」とし「来年1-3月期にパソコンとサーバーに使用される製品をはじめ、モバイル用まで迅速に量産を始める」と説明した。 サムスン電子は昨年11月、似たレベルのDRAMの量産を始めた。7月にはさらに発展した第2世代10ナノ級(1y)工程を適用して16GbモバイルDRAMの量産に入った。 過去最高の好況を迎えた韓国半導体産業に大きな脅威となる中国の追撃は米中貿易戦争で停滞する状況だ。先月、米商務省が中国福建晋華半導体に対する輸出制裁に入った。来年初めのDRAM量産を控えた福建晋華が米国産の装備やソフトウェア、部品などを輸入できなくなれば、量産時期は遅れるしかない。

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韓国半導体業界が直ちに利益が生じるわけではないが、技術の差をさらに広げる余裕が生じた。まだ中国のメモリー半導体レベルは韓国より3-5年遅れているというのが業界の分析だ。しかし中国の半導体追撃は供給急増による「価格ピーク論」の原因に挙げられる。 中国が量産を控えているメモリー半導体と韓国の製品は需要層が異なる。中国YMTCが来年初めに量産する製品は32層3D NANDフラッシュだ。サムスン電子とSKハイニックスが2014年に量産を始めた製品で、両社ともに現在はこの製品をほとんど生産していない。現在の主力製品は64-72層3D NANDフラッシュであり、技術の格差は大きい。
https://japanese.joins.com/

NAND型フラッシュメモリーは回路を積み上げる「層」が高いほど高度な技術力が必要だとはいえ、中国はワンチップにする技術をすでに自己開発で進めている。CPUはすでにトップレベルと考えれば、フラッシュメモリーと言えども価格交渉で強気に出る中国に対抗できないだろう。ましてスマホは中国でサムスンシェアは限りなくゼロである。挙句に自国スマホはワンチップ化が進んでいる。まだ技術の差は大きいがと中央日報は掲載するが、日中での技術指導が確立すれば、それも単純ではなくなる。莫大な投資力がまだある中国が日本技術を利用すれば、さほど量産には時間はかからないだろう。しかもスマホのワンチップ化は今後のトレンドでもある。

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[ 2018年11月14日 10:10 ] カテゴリ:韓国経済 | TB(0) | CM(0)
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