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サムスン、17年ぶり次世代メモリー「MRAM」量産

サムスン電子が速度の速いDRAMと電源が切れてもデータが消えないNAND型フラッシュの長所を取った次世代メモリー「MRAM」の量産を始めた。2002年に次世代メモリー研究を始めてから17年で出てきた成果だ。最近需要が急増しているモノのインターネット(IoT)基盤の各種情報通信技術(ICT)製品に主に搭載されると予想される。サムスンの次世代収益事業になる見通しだ。

サムスン電子は6日、内蔵型メモリー半導体製品の「eMRAM」を量産すると発表した。メモリー半導体、コントローラー、通信用半導体などのさまざまな機能を持つ半導体をモジュールのようにひとつにまとめたシステムオンチップ(SoC)に装着されるメモリー半導体だ。電源を消してもデータが消えないNAND型フラッシュの特性を持ち、書き込み速度は既存の内蔵型製品(eフラッシュ)より1000倍速い。 サムスン電子関係者は、「既存のメモリー製品と違いソフトウェアなどをアップグレードする際に既存データを削除する必要がなく、書き込み速度が画期的に改善された」と話した。続けて「電源が切れた状態でデータを維持でき別途の待機電力も消費しない」と付け加えた。読み取り速度は既存製品と同水準という。

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サムスン電子がMRAMを量産したのは2002年にサムスン電子半導体研究所が次世代半導体研究を始めてから17年ぶりだ。DRAMとNAND型フラッシュに代わるメモリー半導体を開発するという計画で始めた。メモリーの容量を拡大すると同時に生産単価を低くできるナノプロセス技術を確保するのに少なくない困難があったという。
https://japanese.joins.com/

MRAMは不揮発性メモリでありながら、データの読み出しと書き込みが高速であり、データの書き換え可能な回数が極めて多いという特長を備える。不揮発性メモリの代表はNANDフラッシュメモリだが、データの書き換え可能な回数がかなり低く、また、データの書き込みに時間がかかるという弱点があった。 NANDフラッシュメモリの弱点を解決した大容量不揮発性メモリが、3D XPointメモリである。3D XPointメモリはデータの読み書きと書き込みが高速であり、データの書き換え可能な回数が極めて多いという特長を備える。しかもシリコンダイ当たりの記憶容量は128Gbitと非常に大きい。NANDフラッシュメモリに次ぐ大きさとなる。 ストレージ向けとなると圧倒的に大きな問題となるのが、容量不足となる。今後の大きな課題と言える。

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[ 2019年03月07日 12:00 ] カテゴリ:韓国経済 | TB(0) | CM(0)
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