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サムスン電子、第3世代DRAMの開発に成功

サムスン電子は21日、回路線幅を既存製品よりさらに微細化した「第3世代」のDRAMを世界で初めて開発したと発表した。第2世代のDRAMを開発してからわずか1年4カ月で次世代製品を発表したことになる。正確な回路線幅を明らかにしていないが、今年下半期から本格的な量産と販売を開始する。

サムスン電子は3年前に回路線幅10ナノメートル台のDRAMの生産を開始した。その製品を第1世代と位置づけ、徐々に回路線幅を狭めた。第3世代を第1世代と比較すると、回路線幅が10%以上狭まったという。 メモリー半導体では、回路線幅が微細であるほど、1枚のウエハーで生産できるDRAMの個数が増えるほか、半導体の電力消費量も抑えられる。サムスン電子は第3世代製品の生産性が前世代の製品よりも20%改善し、データ処理速度も速まったと説明した。

サムスン電子メモリー事業部の李禎培(イ・ジョンベ)副社長は「微細工程の限界を克服し、次世代のメモリー半導体を迅速に投入している。今後もプレミアム級のDRAMのラインアップ拡大に継続的に投資を行い、未来技術をリードしていく」と述べた。
http://www.chosunonline.com/

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米州メモリ市場は4年に1周期の山と谷が発生するサイクルがある。単純に考えると、2019年は前年比マイナスに沈む確率が極めて高い。2017年中盤に100%増超のピークをつけている以上、2019年のボトムはマイナスを覚悟する必要がある。業界では、サムスンが平澤工場の増設計画を延期したし、西安工場第2棟への投資も延期した。同社の設備投資計画は30%前後引き下げられるとしており、同社の投資再開はいつになるのか、メモリ市況はこの先どうなるのか、世界中の関係者が注目する状況にある。半導体製造装置メーカーは、直近の受注額が前年比50〜60%ダウンという装置もあるとしている。ここに今後の見通しを占う要素が多く盛り込まれていると言える。

サムスンはDRAM市場、NAND型フラッシュメモリ市場、いずれでも50%近いシェアを持ち、2位以下を大きく引き離している。メモリは典型的な汎用製品なので、ユーザーとしてはベンダーを1社に絞らず、2社以上の複数社から購買することで、調達リスクを抑えている。50%近いシェアを持つ同社は全ての大手ユーザーに食い込んでおり、大手ユーザー各社の今後の調達計画を高い精度で確認する事が出来る。そのサムスンが設備投資にブレーキをかけたことで、今後のメモリ需給バランスはどうなるのか、DRAMやNANDフラッシュの単価動向はどうなるのか、全ての関係者がさまざまな推察を始めている。とはいえ、遅くとも2019年中盤までにボトムを迎え、2019年後半からは投資が加速するのだろう。

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[ 2019年03月22日 12:47 ] カテゴリ:韓国経済 | TB(0) | CM(0)
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