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「ファウンドリー1位目標」サムスン電子、業界初7ナノチップ量産へ

サムスン電子が16日、5ナノメートル(nm)半導体工程の開発に成功したと明らかにした。また、今月中に半導体業界で初めて極端紫外線(EUV)基盤の7ナノ量産チップを本格的に出荷すると発表した。1ナノメートルは10億分の1メートルだが、人の髪の毛(10マイクロメートル、um)の1万分の1の太さだ。これを受け、次世代半導体微細工程をめぐるサムスン電子と台湾TSMCの技術力競争がさらに激しくなる見込みだ。

この日、サムスン電子が開発に成功したと明らかにした5ナノ微細工程は、従来のフッ化アルゴン(ArF)より優秀と評価されるEUV基盤技術。EUVは従来のフッ化アルゴン(ArF)工程より短い波長で細かい半導体回路パターンをより正確に描くことができる。サムスン電子はオランダ半導体装備企業ASMLから最先端EUV装備を導入したが、1台の価格が約6000億ウォン(約600億円)という。 5ナノ工程の開発を発表しながらサムスン電子は「国内のファブレス(設計専門)企業に各種設計インフラを提供する」とし「ファブレス顧客はこれを活用して容易かつ迅速に製品を設計でき、新製品の発売時期も操り上げることができる」と説明した。

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米IBM、半導体受託製造大手の米グローバルファウンドリーズ(GF)、韓国・サムスン電子などで構成される研究コンソーシアムは、線幅5ナノメートル(ナノは10億分の1)の半導体チップを可能にする業界初の製造プロセスを開発したのが2017年6月となる。当時の線幅10ナノメートルチップの次々世代の半導体で、実用化されれば10ナノチップに比べ、40%の性能向上と75%の省電力化が見込めるとしていた。

同コンソーシアムが線幅7ナノメートルのテストチップまで採用してきたフィン型の電界効果トランジスタ(FinFET=フィンフェット)構造に代わり、IBMが10年以上かけて研究してきたナノシート半導体の技術を採用。7ナノと同じように極端紫外線(EUV)のリソグラフィーを使いつつ、ナノメートルの厚みのシリコンシートにトランジスタを作り込み、それらを積層して高密度の集積回路を製造するという手法だ。

7ナノチップでは爪先ほどの面積に200億個のトランジスタを詰め込むことができるのに対し、今回の5ナノの技術では同じ面積に300億個のトランジスタが入る。人工知能(AI)やIoT(モノのインターネット)、クラウド上のビッグデータ処理向けの半導体などに役立てられる。

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[ 2019年04月16日 18:27 ] カテゴリ:韓国経済 | TB(0) | CM(0)
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