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サムスン、インテルも放棄した超高難度非メモリーチップ量産…世界初

文在寅(ムン・ジェイン)大統領と李在鎔(イ・ジェヨン)サムスン電子副会長(51)が出席した中、サムスン電子が30日、京畿道(キョンギド)華城(ファソン)事業場で世界初めて極端紫外線(EUV)工程が適用された7ナノメートル(nm)アプリケーションプロセッサ(AP)の出荷式を行った。非メモリー半導体成長戦略で民間と政府が協力する姿だ。

サムスン電子がこの日出荷した7ナノAPはスマートフォンの演算能力などを掌握するチップで、APはシステム半導体の中でも核心だ。7ナノ工程の世界初量産は台湾TSMCだが、サムスン電子は従来のフッ化アルゴン(ArF)工程より優れたEUV工程をTSMCよりも先に採択した。サムスン電子は最近、半導体委託生産(ファウンドリー)分野グローバル1位の台湾TSMCに対する追撃速度を高めている。

サムスンが採択したEUVは、フッ化アルゴン工程より短い波長で細密な半導体回路パターンをより正確に描くことができる。サムスン電子はオランダ半導体装備企業ASMLから最先端EUV装備を導入したが、1台の価格が1500億-2000億ウォン(約150億ー200億円)という。

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EUV技術を適用した7ナノ工程は米インテルやグローバルファウンドリーも工程の開発をあきらめるほど技術難度が高い。今年下半期に発売されるギャラクシーノート10にも7ナノAPが搭載される予定だ。 半導体は薄く設計するほどチップが小さくなるため発熱量を減らすことができる。サムスン電子は最近7ナノだけでなく5ナノEUV工程まで開発したと明らかにした。
https://japanese.joins.com/

半導体 LSI の高性能化と低コスト化を支える微細化技術。EUV方式が進むと、現行のArF液浸露光方式で発生する多重パターニングや成膜・エッチングの繰り返しプロセスが不要となるため、これらの領域の設備投資は控えられる構図になり、Applied Materials、Lam Research、東京エレクトロンなどの事業に影響を及ぼす可能性がある。露光装置ではかつて世界1位・2位であったニコン・キヤノンがシェアを大きく落とし、ASMLの独壇場となる可能性がある。キヤノンはナノインプリント・リソグラフィを手掛けるMolecular Imprintsを買収、東芝メモリのNAND量産ラインに次世代装置を導入するなど、独自路線で先端プロセス向け露光装置事業を追求している。

主な半導体装備市場は米国(アプライド・マテリアルズ)、日本(ニコン、キヤノン)、オランダ(ASML)企業が掌握している。ASMLはオランダ・フェルトホーフェンに本部を置く半導体製造装置メーカーで、世界16カ国に拠点を構える世界的大手。同社が生産する半導体露光装置は市場の8割を占める。しかし、半導体露光装置を製造するのに必要なレーザー発振機やマスク・パッケージなどの重要部品は、米企業から供給されている。米中貿易戦争において、半導体製造装置が照準となり今後の半導体装置の行方を左右しそうだ

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[ 2019年05月01日 12:49 ] カテゴリ:韓国経済 | TB(0) | CM(0)
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