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李副会長は同日午前、ソウル中区（チュング）にある大韓商工会議所の国際会議場で開かれた「２０２０年庚子年の新年会」に出席後、すぐに京畿華城市（キョンギ・ファソンシ）にある半導体事業所に向かった。半導体研究所で三星電子が世界に先駆けて開発した「３ナノプロセス技術」の報告を受けた後、ＤＳ（半導体）部門の社長団と一緒に次世代半導体戦略について議論した。同日の懇談会には、金奇南（キム・ギナム）ＤＳ（半導体）部門長（副会長）、鄭殷昇（チョン・ウンスン）ファウンドリ事業部長（社長）などが出席した。

李副会長は懇談会で、「間違った慣行と事故は思い切って廃棄し、新しい未来を切り開いていこう」と呼びかけた。また、「私たちの隣人、私たちの社会のように分かち合いながら一緒に成長することが私たちの使命であり、１００年の企業に至る道であることを肝に銘じるべきだ」とも語った。

三星電子の新年会は、李副会長が欠席した中、同日午前９時に金副会長の主宰で開かれたが、李副会長の現場メッセージが事実上、三星の「新年の辞」の性格を帯びているという分析が出ている。国内外の不確実性が高まっている状況で、技術革新を通じてシステム半導体１位のビジョンを実現し、社会的責任を果たすというのが重要なメッセージだ。

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特に３ナノ半導体は、導体微細化の限界を克服できる次世代技術（ＧＡＡ・Ｇａｔｅ　Ａｌｌ　Ａｒｏｕｎｄ）を適用した。三星が最近工程開発を完了した５ナノ製品に比べて、チップ面積を３５％以上減らすことができるし、消費電力を５０％削減しながらも、性能（処理速度）は約３０％向上させることができる。システム半導体１位のビジョンを達成する次世代技術として挙げられる。
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昨年５月サムスン電子は、今年にファウンドリ（半導体受託生産）で供給を開始した7ナノメートルプロセス製品よりも性能を35％改善した3ナノメートルプロセス製品を来年に開発し、2021年から量産すると発表している。世界の半導体メーカーの中ではサムスン電子が3ナノメートルプロセス製品の具体的な技術開発・量産日程を初めて公開することで、ファウンドリ世界1位の台湾TSMCに1年ほど先行することになる。

サムスン電子は133兆ウォンを投資して、2030年にシステム半導体（モバイルAP、イメージセンサー、ファウンドリなど）で1位を達成するという目標を立てた。現実は無理だろうと思うが。サムスン電子は3ナノプロセスを来年に開発を完了し、2021年から量産する計画だ。 3ナノプロセス製品の開発・量産スケジュールを具体的に明らかにしたのはサムスン電子が初めてだ。 3ナノ製品は、今年の初めにサムスン電子が量産を開始した7ナノ製品に比べてチップ面積と消費電力をそれぞれ45％と50％減らすことができ、パフォーマンスは35％改善される。

一方、ＴＳＭＣは、昨年６月中旬から７月上旬にかけて顧客と下半期（７～12月）の受注を固めてきたが、現時点の先端プロセスである７ナノメートルプロセスは下半期の受注が全て埋まった。同社は、人工知能（ＡＩ）や第５世代（５Ｇ）移動通信システム、車載向けなどの次世代領域向けが伸びると判断している。次の先端プロセスである５ナノプロセスの量産化を控えていることから、生産施設の拡張を急いでおり、大規模な人材募集に踏み切った。また３ナノプロセスの技術確立も進めるとしている。