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サムスン電子がNANDメモリー生産に8兆ウォン追加投資、米日の追撃かわす

サムスン電子は1日、京畿道平沢市の「平沢キャンパス」に8兆ウォン(約7000億円)を投資し、NAND型フラッシュメモリーの生産ラインを建設すると発表した。5月21日には同じ場所に9兆ウォンを投資し、半導体ファウンドリー(受託生産)のラインを新設すると発表したばかりだ。サムスンが相次いで数兆ウォン規模の最先端半導体工場の新設計画を明らかにしたのは異例だ。

半導体専門家は「新型コロナウイルスと米中通商摩擦で世界の半導体市場に不確実性が高まる中、果敢な先行投資で後発メーカーとの差をさらに広げようという伝統的なサムスン式半導体戦略だ」とみている。ただ、財界の一部からは「思い切った投資戦略はよいが、最近やや急ぎ過ぎの感がある」との感想も漏れる。サムスン電子は先月、平沢第2生産ライン(P2)でNAND型フラッシュメモリーの生産のためのクリーンルームの工事に着手した。来年下半期から最先端の積層NAND型フラッシュメモリー(V-NAND)を量産する予定だ。NAND型フラッシュメモリーは電源が切れてもデータが損傷しないメモリー半導体で、主にスマートフォンやデータセンターでデータ保存用に使われる。サムスン電子は昨年時点でNAND型フラッシュメモリー市場のシェア35.9%を掌握し、18年連続で首位を守っている。

投資の背景にはNAND型フラッシュメモリーの需要急増に対する期待がある。在宅勤務やオンライン教育、動画視聴などデータ使用量が増えているためだ。

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市場調査会社IDCは、2016年に16.1ゼタバイト(ゼタは10の24乗)だった世界のデータ発生量が25年には163ゼタバイトに増加すると見込まれる。10倍に増えれば、それに見合うデータを保存するNAND型フラッシュメモリーの需要も増えるとの判断だ。サムスン電子は今年4月の業績発表に際し、今年下半期のNAND型フラッシュメモリーの需給状況が追い風になるとの見方を示した。
http://www.chosunonline.com/site/data/html_dir/2020/06/02/2020060280048.html

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サムスン電子は、NAND型フラッシュメモリーの生産ラインを増設し、来年後半に量産体制としたい考えだ。生産体制の増強により、次世代通信規格「5G」対応スマートフォン向けの需要にも対応できるとしている。一方、データサーバーは、顧客のインターネット使用の高まりを受けた需要に対応するため、インフラ強化に投資し続ける必要がある。データーサーバーに限らず、フラッシュメモリーなどの製造設備は常に投資しを続ける必要がある。

従ってシェア確保は不可欠で、妥協すれば設備投資に食いつぶされる産業ともいえる。また自動運転などで、自動車産業が半導体産業を活気つけることになる。システム半導体などは、多くのセンサーを搭載する自動運転車増加で、競争も激化するだろう。サムスンがシステム半導体へ参入するのは大きな賭けとなる。一方で日本の半導体メーカーにとっては、自動運転技術におけるCPUやセンサー等をけん引しているわけで、日本にとっても半導体復帰へのきっかけとなるわけで、検査装置を含め、競争激化となりそうだ。

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[ 2020年06月02日 11:30 ] カテゴリ:韓国経済 | TB(0) | CM(0)
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