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サムスン電子は30日、世界最大規模の半導体工場となる平沢キャンパス第2生産ラインでDRAMの量産に入った。新型コロナウイルスの感染拡大によって世界経済が最悪の状態に陥り、今年下半期の世界の半導体市場も低迷が予想される中「サムスンが平沢の第2生産ラインでの量産を先送りするかもしれない」との予想もあった。しかしサムスン電子は中国企業との差を広げるため、また半導体需要が爆発的に増加する「ポストコロナ」時代に備えるために、計画通り推し進めた。今回の決定で、サムスン電子が半導体メモリだけでなく、ファウンドリ（委託生産）分野も含めた総合半導体の世界1位企業に飛躍する意志をあらためて示したとの評価が出ている。同社の李在鎔（イ・ジェヨン）副会長は先月「ポストコロナの未来を先取りしなければならない。ためらう時間はない」と述べ「危機の中の投資」を強調していた。

サムスン電子の平沢第2ラインは2018年1月に着工して以来、2年7か月で本格稼働に突入した。昨年の営業利益（27兆7000億ウォン=約2兆5000億円）を上回る30兆ウォン（約2兆6800億円）が投じられた平沢第2ラインは、延べ面積12万8900平方メートル、サッカー場約16面の広さだ。延べ面積基準でこれまで世界1位だった平沢第1生産ライン（11万9000平方メートル）を超える規模だ。

平沢第2ラインでは業界で初めて、ナノレベルの超微細なプロセスによって半導体回路を製造する技術（EUV、極端紫外線）が導入された。今回生産したモバイルDRAMは、従来のスマートフォン用モバイルDRAMに比べ、データ処理速度が16％速い。これは1秒で超高画質の映画（5ギガバイト）10本をダウンロードできる速さだ。

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平沢第2ラインが来年下半期にNANDとファウンドリ製造設備も構築すれば、世界初の半導体複合生産基地となる。総合半導体企業としてのサムスン電子の競争力が強化されるわけだ。サムスン電子は「第2ラインの完成で、3万人以上の雇用を直接・間接的に創出する効果が期待される」と説明した。
http://www.chosunonline.com/site/data/html_dir/2020/08/31/2020083180300.html?ent_rank_news



サムスン電子が３０兆ウォン（約２兆７０００億円）以上を投資した京畿道（キョンギド）平沢（ピョンテク）キャンパス半導体工場第２ライン（Ｐ２）が本格稼働に入る。平沢Ｐ２の延べ面積は１２万８９００平方メートルと、サッカー場１６個分の面積で、単一半導体工場では世界最大規模となる。ここでは業界で初めて極端紫外線（ＥＵＶ）工程を適用した第３世代１０ナノ（１ｚ）モバイルＤＲＡＭをまず生産する。この製品（ＬＰＤＤＲ５）は今まで開発したモバイルＤＲＡＭのうち最も性能が良い。

サムスン電子は平沢Ｐ２で次世代ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーと超微細ファウンドリー（半導体委託生産）製品も生産する予定だ。５月にＥＵＶ基盤のファウンドリーラインを着工し、６月にはＮＡＮＤ型フラッシュメモリー生産ライン工事も始めた。来年下半期から稼働予定の２本の生産ラインには追加で１７兆－１８兆ウォンを投入する。

EUV露光装置の開発には、現在のところオランダの大手半導体製造装置メーカー、ASMLのみが成功し、同社が市場シェア100％を獲得しています。ASMLはArF液浸、KrF露光装置でも大手なので、半導体用露光装置では最大手となります。露光装置の価格が高いこともあって、2018年の半導体製造装置メーカーの売上高ランキングでは第2位となっています（1位はアプライドマテリアルズ、3位は東京エレクトロン）。

EUV光源の波長は、13.5ナノメートルとArFに比べ大幅に波長が短くなっている。そのため、効率的に7ナノ以降の半導体の露光ができるようになる。EUV露光装置は2019年から量産ラインに導入されているが、世界最大の半導体受託製造メーカーでありEUV露光装置の大口ユーザーと思われるTSMCではEUV露光装置を導入したラインを「7ナノプラス」と呼んで、2018年から量産開始したEUV導入前の7ナノ製造ラインと区別している。

TSMCの7ナノプラスラインでは、EUV露光装置は製造ラインの中でごく数台のみ導入されただけだが、2020年から始まる計画で現在構築中のTSMC5ナノラインには、EUV露光装置が本格的に導入される。次世代の半導体製造技術「EUV（極端紫外線）」を巡り、装置メーカーの競争が激化する。東京エレクトロンが2021年3月期に過去最大の開発費を投じるほか、レーザーテックの受注高は過去1年で倍増した。EUV関連機器ではオランダのASMLが中核の露光装置を独占するが、検査や光源などで日本勢の存在感が高まる。

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