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マイクロンが176層NAND型フラッシュを世界初量産、サムスン追い越す

米半導体企業のマイクロンテクノロジーが9日、世界で初めて176層NAND型フラッシュメモリーの量産を開始したと発表した。サムスン電子とSKハイニックスの128層NAND型フラッシュより難しい技術だ。3次元(3D)NAND型フラッシュは基本保存単位であるセルを垂直に積み上げたメモリー半導体だ。積み上げた層の数が多いほど保存容量が増える。

メモリー半導体はデータを積み上げる倉庫の役割(データ保存機能)をする。電源を消せばデータが消えるDRAMと違い、NAND型フラッシュは電源を消してもデータを保存し続ける。スマートフォンやパソコンなど個人用電子機器だけでなく、データセンターでもNAND型フラッシュの活用価値が高い理由だ。

マイクロンによると、176層NAND型フラッシュを既存の96層NAND型フラッシュと比較するとチップ面積は30%減った。これに対しデータを読み書きする速度は35%速くなった。現在シンガポールの委託生産工場で量産している。マイクロンは企業間取引(B2B)用だけでなく一般消費者向けのソリッドステートドライブ(SSD)でも販売する計画だ。マイクロンは報道資料で「64層と176層を比較するとエッフェル塔(フランス・パリ、300メートル)とブルジュ・ハリファ(アラブ首長国連邦・ドバイ、828メートル)の高さほどの違いがある」と説明した。

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最近NAND型フラッシュ市場は企業間の再編の動きが活発だ。SKハイニックスは先月インテルのNAND型フラッシュ事業部門を90億ドルで買収すると明らかにした。SKハイニックスの李錫熙(イ・ソクヒ)代表は4日、「後発走者で短期的改善が難しかった『規模の限界』を解消するために買収を決めた」と背景を説明した。
https://japanese.joins.com/JArticle/272154?servcode=300§code=320

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半導体メモリー大手の米マイクロン・テクノロジーは10日、データの保存に使われるNAND型フラッシュメモリーで、最新型の「176層」を開発したと発表した。フラッシュメモリーでは記憶素子を積み重ねて記憶容量を増やす「3次元化」を各社が競っている。176層の開発は世界初で、競合他社から一歩進んだ格好だ。高速通信規格「5G」の本格普及でデータの通信量や処理量が急増することが見込まれる。同社は最新のメモリーが自動車やデータセンター向けなどでの利用を見込む。

開発した176層のメモリーは、データの読み書き速度が同社の既存製品に比べて約35%向上する。半導体チップのサイズも独自技術を組み合わせ、競合製品に比べ3割程度小さくできたという。一方、国内大手のキオクシア(旧東芝メモリ)は米ウエスタンデジタルと共同開発した「112層」の製品をサンプル出荷している。

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[ 2020年11月11日 09:08 ] カテゴリ:韓国経済 | TB(0) | CM(0)
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