業界6位に追い越された…足元に火がついたサムスンとハイニックス
NAND型フラッシュ業界6位の米メモリー半導体企業のマイクロンが世界で初めての176層NAND型フラッシュ半導体を公開した。業界では「アンダードッグ(優勝の可能性が低いチーム)の反乱」という評価が出ている。トップ企業が一足早く新技術を出す前例が崩れたためだ。
15日の半導体業界によると、マイクロンはこのほど176層NAND型フラッシュの量産品を顧客に供給したと発表した。176層はデータ記録空間であるセルを垂直に176層積んだという意味だ。マイクロンの宣戦布告で半導体企業の「積層」競争がさらに激しくなるだろうとの見通しが出ている。積層は容量と効率性を高めることで歩留まりとともにメモリー半導体分野の技術力の尺度に挙げられる。積層数が高くなるほど同面積で高容量を実現できる。建設会社が建物を高層にするほど多くの事務空間を確保できるのと似た道理だ。マイクロンは「176層製品の面積はこれまでの主力製品である96層NAND型フラッシュより30%減り、データ処理速度は35%以上向上した」と強調した。
積層競争の震源はサムスン電子だ。もともとセルは単層で配列されたがサムスン電子が2013年に初めて24層3DNANDを公開し積層が一般化した。ナノプロセスの進展にともなうセル間の干渉を最小化するのに有利という点から業界の標準として定着した。ここに最近データ処理規模が大きくなり積層数の高い高容量NANDの需要が増加している。
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128層NANDの開発・量産レースまではサムスン電子やSKハイニックスなど韓国企業が先導した。SKハイニックスは昨年6月に世界で初めて128層4DNANDを量産するのに成功した。4DNANDはセルの作動を掌握する周辺部回路であるフェリをセルの下に配置して空間効率を上げた製品だ。今後NAND型フラッシュ企業間の技術競争はさらに激しくなる見通しだ。NAND型フラッシュ市場はサムスン電子、SKハイニックス、マイクロンの「3強体制」が確固としているDRAM市場とは違う。2位から6位まで5社のシェア格差は最大7.1ポイントにすぎない。中国YMTCなど後発企業も「年内に128層NANDを量産する」と発表するほど主導権争いが熱い。
https://japanese.joins.com/JArticle/272309?servcode=300§code=320

韓国SKハイニックスが半導体メモリーの業界再編の主役に躍り出た。20日に米インテルのNAND型フラッシュメモリー事業の買収を発表。これまでにキオクシアホールディングス(旧東芝メモリ)への出資も決めている。3社のシェアを単純合算すると韓国サムスン電子を上回り首位となるものの、規模に見合う収益の果実を得るには課題も多い。インテルのメモリー事業売却で、半導体再編の波も強まってきた。東芝が17年に米原発事業の巨額損失を受けて半導体メモリー事業の売却を決定。買い手となった米投資ファンド、ベインキャピタルが資金の出し手として競合先のSKを呼び込んだ。SKは新株予約権付社債(転換社債=CB)などで3950億円を拠出した。その対価が上場後のキオクシアHD株15%。キオクシア上場後にCBは普通株に転換され、SKはベインと東芝に次ぐ3番手の大株主となる。
インテルの事業買収でSKのNAND事業は一層強固となる。英オムディアの調査によると、NAND市場で5位のSK(9.9%)と6位インテル(9.5%)を足し合わせると、2位キオクシア(19.0%)を上回り、サムスン(35.9%)に次ぐ2位に付ける。さらにキオクシアも単純合算すれば、首位サムスンも超えてSKが首位に立つ。 とはいえメモリー市場全体を見渡せば、韓国2社の地位は当面盤石と言えそうだ。サムスンはDRAMとNANDを合わせたメモリー市場全体で4割のシェアを握る。2番手のSKハイニックスは競合他社と提携関係を築く戦略で地位を固める。次の再編のカギを握るのはマイクロンだろう。
15日の半導体業界によると、マイクロンはこのほど176層NAND型フラッシュの量産品を顧客に供給したと発表した。176層はデータ記録空間であるセルを垂直に176層積んだという意味だ。マイクロンの宣戦布告で半導体企業の「積層」競争がさらに激しくなるだろうとの見通しが出ている。積層は容量と効率性を高めることで歩留まりとともにメモリー半導体分野の技術力の尺度に挙げられる。積層数が高くなるほど同面積で高容量を実現できる。建設会社が建物を高層にするほど多くの事務空間を確保できるのと似た道理だ。マイクロンは「176層製品の面積はこれまでの主力製品である96層NAND型フラッシュより30%減り、データ処理速度は35%以上向上した」と強調した。
積層競争の震源はサムスン電子だ。もともとセルは単層で配列されたがサムスン電子が2013年に初めて24層3DNANDを公開し積層が一般化した。ナノプロセスの進展にともなうセル間の干渉を最小化するのに有利という点から業界の標準として定着した。ここに最近データ処理規模が大きくなり積層数の高い高容量NANDの需要が増加している。
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128層NANDの開発・量産レースまではサムスン電子やSKハイニックスなど韓国企業が先導した。SKハイニックスは昨年6月に世界で初めて128層4DNANDを量産するのに成功した。4DNANDはセルの作動を掌握する周辺部回路であるフェリをセルの下に配置して空間効率を上げた製品だ。今後NAND型フラッシュ企業間の技術競争はさらに激しくなる見通しだ。NAND型フラッシュ市場はサムスン電子、SKハイニックス、マイクロンの「3強体制」が確固としているDRAM市場とは違う。2位から6位まで5社のシェア格差は最大7.1ポイントにすぎない。中国YMTCなど後発企業も「年内に128層NANDを量産する」と発表するほど主導権争いが熱い。
https://japanese.joins.com/JArticle/272309?servcode=300§code=320

韓国SKハイニックスが半導体メモリーの業界再編の主役に躍り出た。20日に米インテルのNAND型フラッシュメモリー事業の買収を発表。これまでにキオクシアホールディングス(旧東芝メモリ)への出資も決めている。3社のシェアを単純合算すると韓国サムスン電子を上回り首位となるものの、規模に見合う収益の果実を得るには課題も多い。インテルのメモリー事業売却で、半導体再編の波も強まってきた。東芝が17年に米原発事業の巨額損失を受けて半導体メモリー事業の売却を決定。買い手となった米投資ファンド、ベインキャピタルが資金の出し手として競合先のSKを呼び込んだ。SKは新株予約権付社債(転換社債=CB)などで3950億円を拠出した。その対価が上場後のキオクシアHD株15%。キオクシア上場後にCBは普通株に転換され、SKはベインと東芝に次ぐ3番手の大株主となる。
インテルの事業買収でSKのNAND事業は一層強固となる。英オムディアの調査によると、NAND市場で5位のSK(9.9%)と6位インテル(9.5%)を足し合わせると、2位キオクシア(19.0%)を上回り、サムスン(35.9%)に次ぐ2位に付ける。さらにキオクシアも単純合算すれば、首位サムスンも超えてSKが首位に立つ。 とはいえメモリー市場全体を見渡せば、韓国2社の地位は当面盤石と言えそうだ。サムスンはDRAMとNANDを合わせたメモリー市場全体で4割のシェアを握る。2番手のSKハイニックスは競合他社と提携関係を築く戦略で地位を固める。次の再編のカギを握るのはマイクロンだろう。
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