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サムスン電子が今年、半導体設備投資に業界最大規模の280億ドルを支出し、ファウンドリで世界首位企業の台湾TSMCを猛追撃するとの分析が出てきた。

17日の業界の情報によれば、グローバル市場調査機関「ICインサイツ」は、今年のサムスン電子の半導体設備投資規模を昨年同様の280億ドル規模と予想した。TSMCの今年の設備投資規模は275億ドルと予想される。TSMCは今年の設備投資額が250～280億ドルに達すると明らかにしている。ICインサイツは、今年サムスン電子とTSMCが全世界の半導体設備投資の43％を占めるだろうと見通した。

サムスン電子デバイスソリューション(DS)部門のキム・ギナム副会長は、この日開かれたサムスン電子定期株主総会で、TSMCとの競争に関する質問を受け、「ファウンドリ事業をうまく育成するためには“スケールメリット”を達成することが重要だ」と話した。また「サムスン電子のファウンドリ事業が始まって間もないため、先頭業者より市場シェアや生産能力、顧客数で足りないのは事実だが、先端工程競争力では遜色がない」と明らかにした。さらに「効率的な投資で適正な時期に生産能力を用意し、これを通じて競争で差を縮めていく」と話した。
https://news.yahoo.co.jp/articles/71c55847a2d65766e8134a315ff301cc6ece0e44

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2021年の世界半導体設備投資は前年比8％増の1110億ドルが見込まれており、2年連続で1000億の大台を突破することになりそうだ。TSMC、サムスンの大手2社が巨額投資を敢行する構えで、両社合算の投資金額が全体の51％を占めるという構図だ。近年はこの2社にインテルを加えた3強による大型投資が展開されていたが、同社の先端プロセスにおける生産戦略に見直しがかかっていることもあり、勢力図が変わりつつある。SMICなどを中心に半導体国産化に向けた戦略的投資が進められていた中国勢の投資は、米中対立の影響などを受けてまだら模様の印象だ。



TSMCは21年投資金額として250億～280億ドルを計画。現在量産中の5nmプロセスの追加増強が予定されているほか、次世代の3nmも22年の量産開始に向けて、今年から量産用装置の導入が始まる。TSMCにとっては、インテルの外部委託の方針も今後の投資戦略を大きく左右することになりそうだ。同社は7nmの開発遅延に伴い、ここにきて外部リソースの活用を示唆していたが、CEOの交代に伴い、2月15日以降に改めて戦略がアップデートされるとしている。

一方のサムスンの21年半導体設備投資額は300億ドルを超える規模が見込まれている。20年12月に入り、DRAM、NAND双方の投資計画が決まり、一気に製造装置メーカーに設備発注が行われた。DRAMでは平澤第2工場での1Znm世代の投資、NANDでは西安第2工場での92層世代の追加投資、平澤第1／第2工場での128層世代の投資が年初から始まっている。また、ファンドリー事業でも大型投資が見込まれており、平澤第2工場での5nm世代の量産投資に加え、米オースティン工場での新増設計画の案も浮上している。

メモリー分野はサムスン電子が大型投資を敢行する一方で、他企業は今のところ大きな投資計画には発展していない。DRAM市況は需給環境が改善し、設備投資を行える環境になりつつあるが、NANDはコントラクト価格が依然下落基調にあり、主要各社は設備投資に慎重だ。キオクシア、マイクロン、SKハイニックスともにNAND分野においては大きな投資計画は具体化していない。そのなかで、サムスンが大型投資を再開しているのはシェア拡大に向けた動きとみられており、それが実行できるのは他社と比べて技術優位性を確保しているからに他ならない。

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