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三星（サムスン）電子は、既存の製品より速度は倍以上速く、電力消耗は１３％ほど少ない次世代Ｄラムメモリーモジュールを開発した。サーバーメモリーに搭載され、大容量データセンターなどの電力効率を高めるのに役立つものと見られる。　三星電子は２５日、「ハイケイメタルゲート」（ＨＫＭＧ）工程を採用した５１２ＧＢ（ギガバイト）ＤＤＲ５メモリーモジュールを開発したと明らかにした。ＤＤＲ５とは次世代Ｄラム規格で、前の世代であるＤＤＲ４に比べて倍以上の性能を備えている。

三星電子のＤＤＲ５Ｄラムは、７２００Ｍｂｐｓ（１秒当たりのメガビット）のデータ伝送速度を備えている。３０ＧＢ容量の超高画質（ＵＨＤ）映画２本を１秒で伝送できる。現在Ｄラム規格であるＤＤＲ４の最高伝送速度は３２００Ｍｂｐｓ水準で、容量も２５６ＧＢが最大だ。

三星電子が開発したＤＤＲ５Ｄラムは、システム半導体の製造過程で使われるＨＫＭＧ工程を採用して、電力消耗を減らした。無駄遣いされる電流を減らす工程が採用され、従来のメモリーに比べ、電力を１３％ほど少なく消費できる。三星電子の関係者は、「システム半導体を製造するノウハウを基に、Ｄラム製造にもＨＫＭＧ工程を採用して高性能低電力を同時に実現できる」とし、「電力消耗が少ないため、大容量データセンターや人工知能（ＡＩ）など、電力効率が重要な所に使われる」と説明した。

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また、一般的に使われるＤラムの中で、初めて８段シリコン貫通電極（ＴＳＶ）技術を採用した。ＴＳＶ技術は、Ｄラムに入るチップに穴を開けてチップ同士を直接繋げて速度を画期的に高める技術だ。三星電子は２０１４年に初めて、ＤＤＲ４メモリーに４段ＴＳＶ工程を採用して、６４ＧＢで２５６ＧＢの高容量モジュールを披露したことがある。
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サムスン電子が業界で初めて「High-kメタルゲート(HKMG)」工程を適用、512ギガバイト(GB)容量のDDR5メモリモジュールを開発した。HKMGの工程で作られたDDR5メモリモジュールは従来と対比し、電力消耗を約13%減らすことができる。25日、サムスン電子によると、今回開発した高容量DDR5モジュールは業界最高水準の高容量・高性能・省電力を具現し、次世代コンピューティング、大容量データセンター、人工知能など先端産業の発展のコアソリューションの役割を果たすと期待される。

この製品はメモリ半導体工程の微細化による漏洩電流を防ぐため、誘電率定数(K)が高い物質を適用するHKMG工程を導入した。HKMGが適用されたサムスン電子のDDR5メモリモジュールは既存の工程に比べ、電力消耗が約13%減少し、データセンターのように電力効率が重要な応用先で、最適のソリューションとなるとしている。　また、この製品には汎用Dラム製品では初めて8段TSV(Through Silicon Via、シリコン貫通電極)技術が適用された。TSV技術はメモリーチップを積層し、大容量を具現する技術で、従来のワイヤを利用してチップを連結するワイヤボンディング(Wire Bonding)技術より、速度と消費電力を大きく改善する。

サムスン電子は高容量メモリ市場の拡大とデータ基盤応用先の拡散によって、16Gb(ギガビット)基盤で8段TSV技術を適用し、DDR5 512GBモジュールを開発した。サムスン電子はHKMG工程と8段TSV技術が適用された高容量DDR5メモリを次世代コンピューティング市場の顧客の需要によって、適期に商用化する計画だ。

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