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三星電子、極紫外線工程の14ナノDRAMを量産

三星(サムスン)電子は、半導体回路をより細かく実現できる極紫外線(EUV)工程を通じて、「14ナノDRAM」の量産に入ったと、12日明らかにした。

EUV工程は、従来のフッ化アルゴン(ArF)工程より光の波長が短いのがメリットだ。細かい半導体回路のパターンを具現する時に使われる技術だ。三星電子は、新工程を土台に次世代DRAM市場を先導するという目標を持っている。 三星電子は同日、14ナノメートル(1ナノメートルは10億分の1メートル)DRAMの量産過程でEUV露光技術を採用し、DRAM性能と歩留まりを向上させたと説明した。EUV工程を5つのレイヤー(回路層)に適用して、最先端の14ナノDRAMを実現したが、DRAM製造過程で複数の回路層にEUV工程を適用する、いわゆる「マルチレイヤー」技術は世界で三星電子だけが保有している。

三星電子によると、マルチレイヤーEUV工程が適用された14ナノDRAMは、ウェハー集積度が業界最高水準で、前世代比生産性が20%向上した。消費電力も前工程に比べて約20%改善された。三星電子は、今回の新規工程を次世代ラムであるDDR5DRAMに最初に適用する。DDR5は、最高7.2Gbps(1秒当たりのギガバイト)の速度で、DDR4に比べて速度が倍以上速い次世代DRAM規格だ。データセンター、スーパーコンピューター、企業向けサーバー市場などに高性能DDR5が多く使われる。

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三星電子は、高容量データ市場の需要に応えるため、今回の工程で単一チップの最大容量である24Gb(ギガビット)DRAMまで量産する方針だ。三星電子側は、「業界最先端の14ナノ工程と高い成熟度のEUV工程技術力を基盤に高い性能と安定した歩留まりを実現して、DDR5DRAMの大衆化を先導するという戦略だ」と説明した。
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サムスン電子はこれまで主に15ナノ工程でDRAMを量産してきた。これに先立ち、サムスンは4-6月期の実績発表カンファレンスコールで「下半期には14ナノDRAMの5つのレイヤー(層)にEUV工程を適用する」としていた。半導体は回路の線幅が狭いほどウェハー1枚から作ることができる製品の数量が増える。それだけ原価競争力と生産性が高まり、半導体の性能と電力効率性は改善される。加えて半導体回路をさらに細かく実現できるEUV露光技術を適用すれば半導体の収率が向上する。

サムスン電子によると、EUV工程が適用されたサムスン電子14ナノDRAMは業界最高のウェハー集積度で以前の世代に比べて生産性が約20%向上した。また、消費電力は以前の工程に比べて約20%改善されたという。サムスン電子は今回の新規工程を最新DDR5 DRAMからまず適用する。次世代DRAM規格であるDDR5は以前のDDR4に比べて2倍以上の速度を誇る。最近、データセンターやスーパーコンピュータ、企業用サーバー市場などで高性能DDR5に対する需要が高まっている。

サムスン電子は14ナノ工程と高い成熟度のEUV工程技術力をベースに差別化した性能と安定した収率を実現して、DDR5 DRAM大衆化を先導する戦略だ。

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[ 2021年10月13日 08:50 ] カテゴリ:韓国経済 | TB(0) | CM(0)
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