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「映画163本のデーターを1秒で処理」 SKハイニックスが第4世代DRAM開発

SKハイニックスが、既存製品に比べてデータ処理速度を約80%向上させたDRAMメモリー半導体「HBM3」を業界で初めて開発したと20日、発表した。

HBMとは、いくつかのDラムチップを垂直につなげて、既存の単一Dラム製品に比べてデータ処理速度を向上させた高性能製品を指す。2013年、SKハイニックスは世界初の第1世代HBMを発売し、その後、第2世代(HBM2)を経て、昨年7月に第3世代(HBM2E)の量産に成功した。今回開発に成功したHBM3は第4世代製品だ。 HBM3は、1秒当たり8~19GB(ギガバイト)のデータを処理できる。フルHD級映画(5GB)163本を1秒でダウンロードできる水準だ。直前の製品のHBM2Eに比べ、速度が7~8%向上した。汎用製品のDDR4に比べ33倍、DDR5より16倍速い速度だ。以前の世代とは違って、製品の中にエラー訂正コードを内蔵し、Dラムセルで送られたデータのエラー部分を、自ら補正する機能も追加した。

SKハイニックスは、HBM3を需要とするシステムが登場するものとみられる来年半ばから、本格的に大量生産に入る計画だ。16GBと24GBの二つの容量の製品で発売される予定。24GBは、Dラム製品の中では最大容量となる。

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今後、HBM3は、高性能データセンターなどで主に使われる見通しだ。人工知能(AI)の完成度を高めるマシンラーニング、気候変動の解析や新薬開発などに使われる大容量スーパーコンピューターにも採用されるだろうと、業界では見ている。
https://www.donga.com/jp/List/article/all/20211021/2997478/1

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半導体メモリーのDRAM市場では、回路線幅10ナノメートル級で最先端となる第4世代(1αナノメートル)の開発競争が本格化している。米マイクロン・テクノロジー、韓国SKハイニックスに続き、業界トップの韓国サムスン電子も年内に量産開始の予定だ。韓国勢は1α世代からEUV露光技術を本格導入し、競争力強化につなげるとしている。

SKハイニックスが現存最高仕様のDRAM「HBM3」を業界で初めて開発し、昨年7月、業界初となるHBM2の拡張バージョンであるHBM2E DRAMの量産を始めてから1年3カ月ぶりとなる。HBMは複数のDRAMを垂直に接続し、従来のDRAMよりもデータ処理速度を画期的に速めた製品となる。

今回のHBM3はHBM、HBM2、HBM2Eに続き第4世代と呼ばれる。SKハイニックス側は「HBM3の開発でHBM DRAMのうち最高速度・最大容量を実現し、品質水準を大きく引き上げた」と強調している。HBM3は16GBと24GBの2種類の容量で発売される。24GBは業界最大容量だ。SKハイニックス側は「24GBを実現するために単品DRAMチップをA4用紙一枚分の厚さの3分の1である30マイクロメートルの高さに差し替えた後、このチップ12個をTSV技術で垂直接続した」と説明している。

TSVはDRAMチップに数千個の微細な穴を開けて上層と下層チップを垂直で貫に電極でチップ同士を接続する技術となる。HBM3は高性能データセンターに搭載されるほか、気候変動解釈、新薬開発などに使われるスーパーコンピュータや人工知能(AI)マシーンランニングなどに活用される。

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[ 2021年10月21日 09:09 ] カテゴリ:韓国経済 | TB(0) | CM(0)
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