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ＳＫハイニックスが、既存製品に比べてデータ処理速度を約８０％向上させたＤＲＡＭメモリー半導体「ＨＢＭ３」を業界で初めて開発したと２０日、発表した。

ＨＢＭとは、いくつかのＤラムチップを垂直につなげて、既存の単一Ｄラム製品に比べてデータ処理速度を向上させた高性能製品を指す。２０１３年、ＳＫハイニックスは世界初の第１世代ＨＢＭを発売し、その後、第２世代（ＨＢＭ２）を経て、昨年７月に第３世代（ＨＢＭ２Ｅ）の量産に成功した。今回開発に成功したＨＢＭ３は第４世代製品だ。　ＨＢＭ３は、１秒当たり８～１９ＧＢ（ギガバイト）のデータを処理できる。フルＨＤ級映画（５ＧＢ）１６３本を１秒でダウンロードできる水準だ。直前の製品のＨＢＭ２Ｅに比べ、速度が７～８％向上した。汎用製品のＤＤＲ４に比べ３３倍、ＤＤＲ５より１６倍速い速度だ。以前の世代とは違って、製品の中にエラー訂正コードを内蔵し、Ｄラムセルで送られたデータのエラー部分を、自ら補正する機能も追加した。

ＳＫハイニックスは、ＨＢＭ３を需要とするシステムが登場するものとみられる来年半ばから、本格的に大量生産に入る計画だ。１６ＧＢと２４ＧＢの二つの容量の製品で発売される予定。２４ＧＢは、Ｄラム製品の中では最大容量となる。

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今後、ＨＢＭ３は、高性能データセンターなどで主に使われる見通しだ。人工知能（ＡＩ）の完成度を高めるマシンラーニング、気候変動の解析や新薬開発などに使われる大容量スーパーコンピューターにも採用されるだろうと、業界では見ている。
https://www.donga.com/jp/List/article/all/20211021/2997478/1



半導体メモリーのDRAM市場では、回路線幅10ナノメートル級で最先端となる第4世代（1αナノメートル）の開発競争が本格化している。米マイクロン・テクノロジー、韓国SKハイニックスに続き、業界トップの韓国サムスン電子も年内に量産開始の予定だ。韓国勢は1α世代からEUV露光技術を本格導入し、競争力強化につなげるとしている。

ＳＫハイニックスが現存最高仕様のＤＲＡＭ「ＨＢＭ３」を業界で初めて開発し、昨年７月、業界初となるＨＢＭ２の拡張バージョンであるＨＢＭ２Ｅ　ＤＲＡＭの量産を始めてから１年３カ月ぶりとなる。ＨＢＭは複数のＤＲＡＭを垂直に接続し、従来のＤＲＡＭよりもデータ処理速度を画期的に速めた製品となる。

今回のＨＢＭ３はＨＢＭ、ＨＢＭ２、ＨＢＭ２Ｅに続き第４世代と呼ばれる。ＳＫハイニックス側は「ＨＢＭ３の開発でＨＢＭ　ＤＲＡＭのうち最高速度・最大容量を実現し、品質水準を大きく引き上げた」と強調している。ＨＢＭ３は１６ＧＢと２４ＧＢの２種類の容量で発売される。２４ＧＢは業界最大容量だ。ＳＫハイニックス側は「２４ＧＢを実現するために単品ＤＲＡＭチップをＡ４用紙一枚分の厚さの３分の１である３０マイクロメートルの高さに差し替えた後、このチップ１２個をＴＳＶ技術で垂直接続した」と説明している。

ＴＳＶはＤＲＡＭチップに数千個の微細な穴を開けて上層と下層チップを垂直で貫に電極でチップ同士を接続する技術となる。ＨＢＭ３は高性能データセンターに搭載されるほか、気候変動解釈、新薬開発などに使われるスーパーコンピュータや人工知能（ＡＩ）マシーンランニングなどに活用される。

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