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米国により、SKハイニックス中国工場への先端設備搬入ストップ

世界2位のメモリー半導体メーカー、SKハイニックスの無錫DRAM工場(中国・江蘇省)における先端設備導入計画が米国の対中制裁で頓挫しかねないとの見方が示された。無錫工場はSKハイニックスのDRAM生産量の50%、全世界のDRAM生産量の15%を占める重要生産拠点だ。中国に先端生産拠点を置いている韓国企業がエスカレートする米中テクノロジー戦争の犠牲になりかねないという懸念が高まっている。

ロイター通信は18日、SKハイニックスが無錫工場に先端半導体生産のための極端紫外線リソグラフィー(EUV)設備を導入する計画を立てたものの、米国のブレーキで頓挫する可能性があると報じた。ロイターは米ホワイトハウスなど複数の消息筋を引用し、「バイデン政権は中国が軍の現代化の核心である最先端半導体の開発に米国や同盟国の技術が使われることの阻止に焦点を合わせている」と指摘した。

シリコンウエハーに回路を描くのに使われるEUV装置は次世代DRAMを生産する上で重要な設備であり、オランダの半導体製造装置メーカーASMLが独占的に生産している。現在オランダ政府は米国の要求でEUV装置の対中輸出許可を出していない。一部からは無錫工場の先端化に設備導入問題で支障が出れば、SKハイニックスの競争力悪化だけでなく、世界の半導体サプライチェーンの危機に発展しかねないと懸念する声も聞かれる。

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ロイター通信は、米政府は先端設備を中国に導入しようとするSKハイニックスの努力と中国企業による設備導入努力を区別して考えていないとし、「中国に設備を設置すれば、中国はいつでもそれを手に入れることができ、中国の能力になる」と指摘した。米政府は中国国内に先端設備が導入されること自体が米国に対する脅威になると判断している形だ。

これについて、SKハイニックスは当面無錫工場にEUV装置の設置計画はないと説明した。同社関係者は「EUV工程は今年初めてDRAMを量産する程度で初期段階にある。中国工場にまで同工程を適用するためには、かなりの時間がかかる」と説明した。
http://www.chosunonline.com/site/data/html_dir/2021/11/19/2021111980013.html

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半導体メモリー大手の韓国SKハイニックスが米国の規制を受けて中国工場で最先端設備の導入を見送っていたことが18日に判明した。米当局はトランプ前政権以降、半導体装置メーカーに対して先端装置の中国への輸出を制限している。中国企業だけでなく外国企業の中国工場への導入も規制対象に含まれることが明らかになった。

SKハイニックスは中国江蘇省に半導体メモリー工場を構えており、同社のDRAM出荷量の4割程度を生産している。同社は半導体性能を飛躍的に高められる「EUV(極端紫外線)露光」と呼ばれる最新製造技術を中国工場にも導入しようとしたものの、米当局の制約によって先端投資を凍結した。

規制対象のEUV露光装置はオランダの半導体装置大手ASMLが独占的に供給する。米当局はこれまで中国企業への納入を制限する方針を示していた。ただ外国企業の中国工場に納入される場合でも、生産技術者などを通して先端技術が流出する可能性を懸念して制限に動いたとみられる。

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[ 2021年11月21日 08:02 ] カテゴリ:韓国経済 | TB(0) | CM(0)
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