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サムスン電子が半導体超微細工程の核心装備である極端紫外線（ＥＵＶ）露光装備の確保に注力している。台湾ＴＳＭＣより遅れてＥＵＶ争奪戦に加わったが、速いペースで物量を確保している。

関連業界と金融投資業界によると、今年の世界のＥＵＶ装備出荷量は４８台と予想される。このうちファウンドリー（半導体委託生産）市場１、２位のＴＳＭＣとサムスン電子がそれぞれ２２台、１５台を確保したという。来年はその差がさらに縮小する見込みだ。ユアンタ証券は最近の報告書で「来年のＡＳＭＬのＥＵＶ出荷量は５１台と予想される」とし「このうちＴＳＭＣとサムスンがそれぞれ２２台、１８台を確保したと聞いている」と明らかにした。

これに関連しＡＳＭＬのピーター・ヴェニンク最高経営責任者（ＣＥＯ）は４－６月期の業績発表後、「来年のＥＵＶ装備生産は５５台を目標にしている」とし「すでに今年４－６月期末に８０％が予約が終わった」と明らかにした。ＥＵＶ装備はシリコンウェハーに７ナノメートル以下の微細回路を刻むことができる装備。オランダＡＳＭＬが独占生産・供給している。価格は１台あたり２０００億ウォン（約１９億円）を超え、１台あたりの生産期間も数カ月かかる。需要に対して供給が不足し、半導体企業間の確保競争が激しい。

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ＴＳＭＣは早くからＥＵＶ確保に力を注いだ。ＴＳＭＣは２０１７年の２台をはじめ、昨年までに計４０台を確保した。半面、サムスン電子は計１８台にすぎない。 しかし昨年から雰囲気が変わった。サムスンが７ナノ以下製品の量産を本格的に増やし、ＥＵＶ確保の総力戦に出たからだ。業界関係者は「昨年１０月に李在鎔（イ・ジェヨン）副会長がＡＳＭＬ本社を訪問して装備の大量購買を要請して以降、サムスンはＴＳＭＣにそれほど劣勢でない」と話した。来年末にはＴＳＭＣが計８４台、サムスンが計５１台を保有すると推定される。
https://japanese.joins.com/JArticle/285394?servcode=300§code=330



次世代の露光技術であるEUV露光の実現のためには、光源、マスク、レジスト材料等の要素技術において従来技術からの大幅なブレークスルーが必要となる。 膨大な開発コストを要するため、特定の企業、国・地域では担いきれないため、課題毎に強みを持つ企業、国・地域で役割分担しつつ共同開発を実施している。

半導体回路の微細化で欠かせない「極端紫外線（ＥＵＶ）露光」の周辺工程で、日本の装置メーカーの存在感が増している。最も重要な露光装置は蘭ＡＳＭＬが市場を独占するものの、検査や感光剤の塗布・現像など周辺装置分野では日本勢が高いシェアを持つ。ただ先端のＥＵＶ関連装置は高額で、半導体メーカーにとって投資負担が大きい。

ＥＵＶ対応の検査装置を手がけるレーザーテックは、７―９月期の半導体関連装置の受注高が前年同期比２・６倍に増加。需要増に応じ、現在は生産を委託する取引先企業を複数社増やしている。特に需要が高まっているのが、光源にＥＵＶを使ったＥＵＶ露光用フォトマスク（半導体回路の原版）の欠陥検査装置で、同社が１００％のシェアを持つ。従来ＥＵＶ露光用マスクの検査では、主に光源に深紫外線（ＤＵＶ）光を用いてきたが、ＥＵＶ光の方がＤＵＶ光より波長が短く、欠陥の検出感度が高い。

東京エレクトロンは、ＥＵＶ向けコータ・デベロッパ（塗布現像装置）でシェア１００％。河合利樹社長は、ＥＵＶの導入で工程全般で技術革新が進めば、「（ＥＵＶに直接関連していない分野での）工程数も増える。また（各装置の）性能向上が進む」と分析する。成膜装置やエッチング装置などの工程への波及効果を見込む。

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