サムスン電子、半導体装備戦争でTSMC猛追撃
サムスン電子が半導体超微細工程の核心装備である極端紫外線(EUV)露光装備の確保に注力している。台湾TSMCより遅れてEUV争奪戦に加わったが、速いペースで物量を確保している。
関連業界と金融投資業界によると、今年の世界のEUV装備出荷量は48台と予想される。このうちファウンドリー(半導体委託生産)市場1、2位のTSMCとサムスン電子がそれぞれ22台、15台を確保したという。来年はその差がさらに縮小する見込みだ。ユアンタ証券は最近の報告書で「来年のASMLのEUV出荷量は51台と予想される」とし「このうちTSMCとサムスンがそれぞれ22台、18台を確保したと聞いている」と明らかにした。
これに関連しASMLのピーター・ヴェニンク最高経営責任者(CEO)は4-6月期の業績発表後、「来年のEUV装備生産は55台を目標にしている」とし「すでに今年4-6月期末に80%が予約が終わった」と明らかにした。EUV装備はシリコンウェハーに7ナノメートル以下の微細回路を刻むことができる装備。オランダASMLが独占生産・供給している。価格は1台あたり2000億ウォン(約19億円)を超え、1台あたりの生産期間も数カ月かかる。需要に対して供給が不足し、半導体企業間の確保競争が激しい。
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TSMCは早くからEUV確保に力を注いだ。TSMCは2017年の2台をはじめ、昨年までに計40台を確保した。半面、サムスン電子は計18台にすぎない。 しかし昨年から雰囲気が変わった。サムスンが7ナノ以下製品の量産を本格的に増やし、EUV確保の総力戦に出たからだ。業界関係者は「昨年10月に李在鎔(イ・ジェヨン)副会長がASML本社を訪問して装備の大量購買を要請して以降、サムスンはTSMCにそれほど劣勢でない」と話した。来年末にはTSMCが計84台、サムスンが計51台を保有すると推定される。
https://japanese.joins.com/JArticle/285394?servcode=300§code=330

次世代の露光技術であるEUV露光の実現のためには、光源、マスク、レジスト材料等の要素技術において従来技術からの大幅なブレークスルーが必要となる。 膨大な開発コストを要するため、特定の企業、国・地域では担いきれないため、課題毎に強みを持つ企業、国・地域で役割分担しつつ共同開発を実施している。
半導体回路の微細化で欠かせない「極端紫外線(EUV)露光」の周辺工程で、日本の装置メーカーの存在感が増している。最も重要な露光装置は蘭ASMLが市場を独占するものの、検査や感光剤の塗布・現像など周辺装置分野では日本勢が高いシェアを持つ。ただ先端のEUV関連装置は高額で、半導体メーカーにとって投資負担が大きい。
EUV対応の検査装置を手がけるレーザーテックは、7―9月期の半導体関連装置の受注高が前年同期比2・6倍に増加。需要増に応じ、現在は生産を委託する取引先企業を複数社増やしている。特に需要が高まっているのが、光源にEUVを使ったEUV露光用フォトマスク(半導体回路の原版)の欠陥検査装置で、同社が100%のシェアを持つ。従来EUV露光用マスクの検査では、主に光源に深紫外線(DUV)光を用いてきたが、EUV光の方がDUV光より波長が短く、欠陥の検出感度が高い。
東京エレクトロンは、EUV向けコータ・デベロッパ(塗布現像装置)でシェア100%。河合利樹社長は、EUVの導入で工程全般で技術革新が進めば、「(EUVに直接関連していない分野での)工程数も増える。また(各装置の)性能向上が進む」と分析する。成膜装置やエッチング装置などの工程への波及効果を見込む。
関連業界と金融投資業界によると、今年の世界のEUV装備出荷量は48台と予想される。このうちファウンドリー(半導体委託生産)市場1、2位のTSMCとサムスン電子がそれぞれ22台、15台を確保したという。来年はその差がさらに縮小する見込みだ。ユアンタ証券は最近の報告書で「来年のASMLのEUV出荷量は51台と予想される」とし「このうちTSMCとサムスンがそれぞれ22台、18台を確保したと聞いている」と明らかにした。
これに関連しASMLのピーター・ヴェニンク最高経営責任者(CEO)は4-6月期の業績発表後、「来年のEUV装備生産は55台を目標にしている」とし「すでに今年4-6月期末に80%が予約が終わった」と明らかにした。EUV装備はシリコンウェハーに7ナノメートル以下の微細回路を刻むことができる装備。オランダASMLが独占生産・供給している。価格は1台あたり2000億ウォン(約19億円)を超え、1台あたりの生産期間も数カ月かかる。需要に対して供給が不足し、半導体企業間の確保競争が激しい。
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TSMCは早くからEUV確保に力を注いだ。TSMCは2017年の2台をはじめ、昨年までに計40台を確保した。半面、サムスン電子は計18台にすぎない。 しかし昨年から雰囲気が変わった。サムスンが7ナノ以下製品の量産を本格的に増やし、EUV確保の総力戦に出たからだ。業界関係者は「昨年10月に李在鎔(イ・ジェヨン)副会長がASML本社を訪問して装備の大量購買を要請して以降、サムスンはTSMCにそれほど劣勢でない」と話した。来年末にはTSMCが計84台、サムスンが計51台を保有すると推定される。
https://japanese.joins.com/JArticle/285394?servcode=300§code=330

次世代の露光技術であるEUV露光の実現のためには、光源、マスク、レジスト材料等の要素技術において従来技術からの大幅なブレークスルーが必要となる。 膨大な開発コストを要するため、特定の企業、国・地域では担いきれないため、課題毎に強みを持つ企業、国・地域で役割分担しつつ共同開発を実施している。
半導体回路の微細化で欠かせない「極端紫外線(EUV)露光」の周辺工程で、日本の装置メーカーの存在感が増している。最も重要な露光装置は蘭ASMLが市場を独占するものの、検査や感光剤の塗布・現像など周辺装置分野では日本勢が高いシェアを持つ。ただ先端のEUV関連装置は高額で、半導体メーカーにとって投資負担が大きい。
EUV対応の検査装置を手がけるレーザーテックは、7―9月期の半導体関連装置の受注高が前年同期比2・6倍に増加。需要増に応じ、現在は生産を委託する取引先企業を複数社増やしている。特に需要が高まっているのが、光源にEUVを使ったEUV露光用フォトマスク(半導体回路の原版)の欠陥検査装置で、同社が100%のシェアを持つ。従来EUV露光用マスクの検査では、主に光源に深紫外線(DUV)光を用いてきたが、EUV光の方がDUV光より波長が短く、欠陥の検出感度が高い。
東京エレクトロンは、EUV向けコータ・デベロッパ(塗布現像装置)でシェア100%。河合利樹社長は、EUVの導入で工程全般で技術革新が進めば、「(EUVに直接関連していない分野での)工程数も増える。また(各装置の)性能向上が進む」と分析する。成膜装置やエッチング装置などの工程への波及効果を見込む。
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