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三星（サムスン）電子は１０日、次世代Ｄラムに挙げられる「コンピュータエクスプレスリンク」（ＣＸＬ）基盤の５１２ＧＢ（ギガバイト）Ｄラムを開発したと発表した。昨年５月に世界で初めてＣＸＬ基盤のＤラム技術を開発したのに続き、業界で初めて大容量ＣＸＬ・Ｄラムを披露したのだ。

ＣＸＬは、複数のインターフェースを統合することで、高性能コンピューティングシステムに入る中央処理装置（ＣＰＵ）や加速器、保存装置などが互いに直接通信できるように設計された。三星電子が開発したＣＸＬ・Ｄラムは、ＣＰＵの追加増設なしにＤラムの容量を増やすことができ、従来比メモリー容量が４倍向上した。これを適用すれば、サーバー１台当たりのメモリー容量を数十ＴＢ（テラバイト）以上に拡張できると、三星電子は説明した。

三星電子は今月中に、「スケーラブルメモリー開発キット（ＳＭＤＫ）」のアップデートバージョンを、オープンソースで公開する方針だ。開発者たちが、多様な応用環境で、ＣＸＬ・ＤＲＡＭ技術を活用するプログラムを開発するよう支援するためだ。ＳＭＤＫは、従来搭載されたメインメモリとＣＸＬメモリが最適な環境で動作するよう支援するソフトウェア（ＳＷ）開発ツールだ。三星電子の関係者は、「ＣＸＬメモリーソリューションを拡大し、次世代メモリー市場を主導していきたい」と話した。
https://www.donga.com/jp/List/article/all/20220511/3372409/1

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サムスン電子が業界初の次世代Dラムと呼ばれるCXL(Compute Express Link)基盤の512GB Dラムを開発、次世代メモリの商用化に拍車をかける。CXLは高性能コンピューティングシステムで、CPUと一緒に使用される加速器、メモリ、貯蔵装置などをより効率的に活用するため、新たに提案されたインターフェースをいう。



サムスン電子は昨年5月、世界で初めてCXL基盤のDラム技術を開発し、データセンター、サーバ、チップセットメーカーと評価をしており、今回に既存製品に比べ、メモリ容量を4倍向上した高容量の512GB CXL Dラムを開発した。また、ASIC(注文型半導体)基盤のコントローラを搭載し、データ遅延時間を既存製品に比べ、5分の1に減らした。 今回の製品はPCIe(高速入出力インターフェース)5.0を支援し、大容量SSDに適用されるEDSFFフォームファクタを適用し、従来のコンピューティングシステムのDラムの容量を画期的に拡張することが可能だ。

サムスン電子によると、最近、メタバース、人工知能、ビックデータなど爆発的に増加するデータ量に比べ、既存のDDRインターフェースはシステムに搭載できるDラムの容量に限界があり、CXL Dラムのような次世代メモリソリューションに対する要求が続いているという。　今回開発した高容量CXL Dラムを適用すれば、メインDラムとともに、サーバ1台当たりのメモリ容量を数十テラバイト(TB・1024ギガバイト)以上に拡張することができる。

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