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韓国企業が市場の半分以上を占めているNAND型フラッシュメモリー市場で、米日の企業が先端技術と大規模投資を通じ、サムスン電子とSKハイニックスの追い越しにかかった。80兆ウォン規模とされる市場での影響力をさらに高める狙いだ。油断している間に韓国企業が圧倒的優位を保とうとする「超格差」戦略が揺らぎかねないと懸念されている。

米マイクロンは最近開かれた投資家イベントで、世界で初めて232段NAND型フラッシュメモリーを年内に量産すると発表した。232段は業界で誰もなし得なかった高積層技術で、同社は独自技術を活用し、2つのNAND型フラッシュメモリーをつなぐダブルスタック工程を採用するという。

NAND型フラッシュメモリーは、電源が入っていなくても情報を保存できるメモリーで、半導体を幾重にも積み上げる「積層」競争が盛んだ。メモリーセルを高く積み上げる「積層」は段数が増えるほど、単位面積当たりの生産性が高くなり、同じチップ面積にさらに多くのデータを保存することができる。敷地面積が同じでも低い建物と高い建物では延べ床面積に相当な差が出るのと同じだ。

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それに先立つ2020年、マイクロンは業界で初めて176段NAND型フラッシュメモリーを開発したと発表し、業界を驚かせた。当時NAND型フラッシュメモリーの最高段数は、業界首位のサムスン電子と4位のSKハイニックスが量産していた128段だったからだ。マイクロンが232段NAND型フラッシュメモリーの量産に成功すれば、サムスン電子とSKハイニックスは高積層技術によるNAND型フラッシュメモリー量産の栄光をマイクロンに明け渡すことになる。
http://www.chosunonline.com/site/data/html_dir/2022/05/27/2022052781336.html



記事では、米国と日本が先端技術開発と投資に力を入れ、韓国企業との心理的格差はかなり縮まっている状態。特にメモリー半導体の製造難度が高まり、既に相当な技術水準を積み上げた韓国企業は成長ペースは遅くなり、それに追随する米日企業の技術水準は急速に改善されていると伝えている。

また業界は、NAND技術が必ずしも「積層」だけに左右されるわけではないと指摘している。「どれだけ積むのか」と同様に「どのように積むのか」も重要だという。業界関係者は、積層技術はどのように積み上げるかによって生産効率や原価競争力にかなりの差が生じるとしている。

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