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サムスン電子は30日、世界で初めて3ナノメートル製造プロセスによるファウンドリー（半導体受託生産）での量産を開始したと発表した。半導体の原材料であるウエハーに回路線幅が3ナノメートルの微細回路を刻んだ半導体の量産に初めて成功したことを意味する。これまでの最先端製造プロセスは4ナノメートルだった。

先月訪韓したバイデン米大統領が尹錫悦（ユン・ソンニョル）大統領と共にサムスン電子平沢工場を訪問した際、サムスン電子の李在鎔（イ・ジェヨン）副会長が自ら説明したのが3ナノメートル半導体の試作品だった。両大統領は芳名録の代わりに、3ナノウエハーに並ぶようにサインをした。サムスンは両大統領に披露した製品を当初の計画通り、上半期中に量産することに成功した。

ファウンドリー部門の「後発走者」であるサムスンは、これで技術面では世界をリードしていることを誇示することができた。ファウンドリー市場で圧倒的な世界最大手である台湾積体電路製造（TSMC）を追撃する足掛かりを整えたと評されている。現在世界のファウンドリー市場では、TSMCがシェア53.6%（第1四半期の売上高ベース）で、2位のサムスン電子（16.3%）を3倍以上リードしている。

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三星は2030年までにシステム半導体分野で世界首位の達成を目標にしている。現在でも世界トップの半導体企業だが、データを保存するのに使われるメモリー半導体に偏った事業構造となっている。このため、メモリー半導体に比べ2倍以上大きいシステム半導体市場を「未来の収益源」と判断し、投資を集中している。
http://www.chosunonline.com/site/data/html_dir/2022/07/01/2022070180009.html



韓国の電機大手サムスン電子は３０日、回路線幅が３ナノメートル（ナノは１０億分の１）の半導体の量産を、世界で初めて始めたと発表した。受託生産で世界最大手の台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）に先行した。サムスンの発表によると、５ナノ半導体と比べ、消費電力を４５％削減し、性能は２３％向上、面積は１６％縮小する。ＴＳＭＣは３ナノ半導体について今年下半期の生産開始を目指すと表明していた。

次世代のゲート・オール・アラウンド（GAA）トランジスタ構造を適用しており、従来のFinFET型の5ナノメートルプロセスに比べ消費電力を最大45%低減。性能を23%向上させ、実装面積を16%縮小できるとしている。当初は高性能・低消費電力コンピューティング向けに供給し、その後スマートフォン向けに拡大していくという。半導体の高性能化に欠かせない微細化では半導体受託生産世界最大手の台湾TSMCとサムスンの競争が激化している。TSMCは2022年下半期に3ナノメートルの量産を開始。25年に次の世代の2ナノメートルの生産に着手する予定だ。

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