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SKハイニックス、世界最高の238段NAND型フラッシュメモリー開発

SKハイニックスは3日、世界最高となる238段NAND型フラッシュメモリーの開発に成功したと発表した。NAND型フラッシュメモリーはスマートフォンやパソコンなど電子機器に搭載されるデータ保存用の半導体で、データ保存空間を高層住宅のようにいかに多く積み上げるかが技術力の指標となる。これまで最高だったのは、米マイクロンが先月量産を始めた232段だった。

SKハイニックスは同日、米カリフォルニア州サンタクララで開幕した「フラッシュメモリーサミット2022」で新製品を公開した。イベントの基調演説を行った崔正達(チェ・ジョンダル)副社長(NAND開発担当)は「今回の238段はコスト、性能、品質の面で世界トップクラスの競争力を備えている」と述べた。

NAND型フラッシュメモリー世界3位のSKハイニックスは2020年12月、176段製品を開発し、その1年8カ月後に後継製品である238段製品を発表した。

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同社は「最近サンプルを顧客に送り、来年上半期にも量産に入る計画だ」とし、「今回の238段製品は段数が最高でありながら、世界最小サイズの製品が実現され、従来製品(176段)と比べ生産性が34%改善された」と説明した。
https://www.chosunonline.com/site/data/html_dir/2022/08/03/2022080380005.html

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韓国企業が市場の半分以上を占めているNAND型フラッシュメモリー市場で、米日の企業が先端技術と大規模投資を通じ、サムスン電子とSKハイニックスの追い越しにかかった。80兆ウォン規模とされる市場での影響力をさらに高めるとした。油断している間に韓国企業が圧倒的優位を保とうとする「超格差」戦略が揺らぎかねないとしている。

米マイクロンは最近開かれた投資家イベントで、世界で初めて232段NAND型フラッシュメモリーを年内に量産すると発表した。232段は業界で誰もなし得なかった高積層技術で、同社は独自技術を活用し、2つのNAND型フラッシュメモリーをつなぐダブルスタック工程を採用するという。

NAND型フラッシュメモリーは、電源が入っていなくても情報を保存できるメモリーで、半導体を幾重にも積み上げる「積層」競争が加速している。メモリーセルを高く積み上げる「積層」は段数が増えるほど、単位面積当たりの生産性が高くなり、同じチップ面積にさらに多くのデータを保存することができる。敷地面積が同じでも低い建物と高い建物では延べ床面積に相当な差が出るのと同じだ。

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[ 2022年08月03日 08:45 ] カテゴリ:韓国経済 | TB(0) | CM(0)
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