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半導体世界最大手のサムスン電子が236層NAND型フラッシュメモリーの量産を年内にも開始する。米マイクロンが先月、232層品の量産を発表したのに続き、今月に入り、SKハイニックス（238層の開発）、中国・長江存儲科技（YMTC、232層の開発）など後発メーカーが相次いで「230層以上」の技術力をアピールし、追い上げる中、最大手サムスンも本格的な対応に乗り出すことになる。

半導体業界によると、サムスン電子は自社のフラッシュメモリー積層技術である「V-NAND」の236層品の開発を完了し、年内にも量産を発表する予定だ。量産ベースでは業界最高水準となる。同社の事情に詳しい財界関係者は「サムスンは既に200層以上積層技術を持っていたが、NAND市場では高い収率を確保し、収益性を最大化する戦略を取ってきた。最高層技術をアピールするのではなく、市場をリードする企業として、市場の状況が整った際にトレンドをつくっていく狙いだった」と話した。

NAND型フラッシュメモリーはスマートフォン、パソコン、サーバー（大容量コンピューター）など電子機器に搭載されるデータ保存用半導体だ。大容量を実現するためにデータ保存空間をまるでマンションのように高く積み上げることが技術力を測る尺度となる。

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20年連続NAND市場で首位のサムスンは、昨年から176層、230層以上など「量産世界初」のタイトルを相次いで米マイクロンに明け渡した。このため、サムスンと後発メーカーの間で技術格差が縮まったと懸念されていたが、サムスンは「単純に高く積むのではなく、顧客が望むタイミングで最高効率の製品を出すことが重要」との立場を守ってきた。半導体業界ではサムスン電子が既存製品群と共に236層の新製品を前面に掲げ、企業用サーバー市場などで収益性を一層高めるとみている。
https://www.chosunonline.com/site/data/html_dir/2022/08/17/2022081780013.html



一方、半導体製造大手のMicronが、232層の3DNANDフラッシュメモリの量産に成功している。3D NANDフラッシュメモリが200層を超えたのは史上初で、データ転送速度は従来から50％高速化し2.4Gbit/sに到達している。従来のNAND型フラッシュメモリを立体的に積み上げることで、メモリセルアレイを縦方向に積層化して、メモリの大容量化や書き込み速度の向上、省電力化を実現したのが、「3D NANDフラッシュメモリ」。

この3D NANDフラッシュメモリの開発では韓国のSamsung、同じく韓国のSKハイニックス、Intel＆Micron、キオクシア＆Western Digitalという4つの陣営がしのぎを削っているが、新たにMicronが232層の3D NANDフラッシュメモリを発表した。3D NANDフラッシュメモリが200層を超えたのは今回が初で、これまでは176層の3D NANDフラッシュメモリが最大だった。

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