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サムスン電子は7日、世界最高容量・速度の「1テラビット（Tb）第8世代Vertical NAND」の量産を開始したと明らかにした。　サムスン電子は2013年に世界で初めてセル（貯蔵空間）を垂直に積み上げる方式で24段NANDを開発し、生産を開始した。その後、技術進化を繰り返し9年ぶりに200段以上の第8世代NANDを量産するに至った。限られた空間にセルをさらに多く積むことになり、貯蔵容量が増え、処理速度も速くなった。

サムスン電子は「第8世代VNANDに最新NANDフラッシュインターフェース『トグルDDR5.0』を適用した」として「第7世代NANDより約1.2倍速い最大2.4Gbps（秒当たりギガビット）のデータ入出力速度をサポートする」と明らかにした。また「一つのセルに3つの情報（ビット）を盛り込む技術である『TLC・TripleLevelCell）』が適用された、業界最高水準のビット密度（BitDensity）の高容量製品」と説明した。

市場調査機関オムディアによると、NAND市場は2016年の368億ドルから2021年には684億ドルに大きく増大した。スマートフォンの大衆化とデータセンターの拡大などの影響だ。NANDは電源が切れてもデータを保持するという長所はもちろん、小型なのでスマートフォンの内蔵メモリー、USB、大容量貯蔵装置（SSD）などに広く使われる。

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今年第2四半期基準で、NANDの市場占有率はサムスン電子が33.3％で1位であり、SKハイニックス（ソリダイムを含む）と日本のキオクシアがそれぞれ20.4％、16.0％と後に続いた。さらに自動車にも高性能メモリーの搭載が増え、NAND需要はさらに増える見通しだ。サムスン電子は「2030年以後にはサーバー、モバイル、電装分野がNANDメモリーの3大需要先になるだろう」と見通した。
http://japan.hani.co.kr/arti/economy/45044.html



サムスンの第8世代V-NANDは、信頼性が重要な自動車市場などのエンタープライズ向け製品で、ウェハあたりのビット生産性を向上させることにより高いビット密度を実現し、インターフェイス世代の切り替えに対応した「トグル DDR 5.0 インターフェイス」の採用で、前世代比で1.2倍の性能を実現する2.4Gbp/sの高速転送が可能という。　この新型V-NANDの投入により、PCI Express 5.0を含むPCI Express 4.0以降のSSDの性能の需要に応えるとしている。

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