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ＳＫハイニックスが、世界最速のモバイル用Ｄラムの新製品を開発した。今年下半期（７〜１２月）に本格的に量産する予定の新製品は、２ヶ月前に発売された既存の製品より動作速度が１３％も速くなっている。

ＳＫハイニックスは２５日、現存する最速モバイル用ＤＲＡＭ「ＬＰＤＤＲ５Ｔ」（写真）を開発し、顧客会社にサンプルを提供したと発表した。ＬＰＤＤＲ５Ｔは、ＳＫハイニックスが昨年１１月に公開したモバイルＤラム「ＬＰＤＤＲ５Ｘ」の性能を約２ヶ月で向上させた製品だ。動作速度は、従来の製品より１３％速くなった９.６Ｇｂｐｓ（１秒当たり９.６ギガビット）だ。１０ナノ級第４世代（１ａ）の微細工程を基盤に、今年下半期から新製品の量産に入る計画だ。

ＳＫハイニックスが顧客会社に提供したサンプルは、新製品の単品チップを結合して作られた１６ＧＢ（ギガバイト）容量のパッケージ製品だ。パッケージ製品のデータ処理速度は、毎秒７７ＧＢだ。これはフルＨＤ（ＦＨＤ、１９２０×１０８０）級の映画１５本を１秒でダウンロードできる。

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情報技術（ＩＴ）業界は今後、第５世代（５Ｇ）スマートフォン市場が拡大すれば、速度や容量、低電力など性能が良くなったメモリ需要が増えるものと見られている。ＳＫハイニックスは、今回の新製品の活用範囲はスマートフォンだけでなく、人工知能（ＡＩ）とマシンラーニング、拡張・仮想現実まで拡大すると期待している。
https://www.donga.com/jp/List/article/all/20230126/3915616/1



昨年１１月、SKハイニックスが世界で初めてHKMG(High-K Metal Gate)工程を適用した低電力モバイルDラムを開発した。SKハイニックスは、モバイルDラム製品としては初めてHKMG工程を導入したLPDDR5X（Low Power Double Data Rate 5X）の開発を完了し、、販売を開始した。HKMG工程は誘電率の高い物質をDラムトランジスタ内部の絶縁膜に使用し、漏れ電流を防ぎ、静電容量を改善した次世代工程だ。 速度を速め、消耗電力を減らすという特徴だ。

モバイル用Dラムと呼ばれるLPDDRは、規格名に低電力を意味する「LP(Low Power)」という表現が使われるが、それだけ低い電力消費が最大のカギである製品だ。 現在、LPDDRは第7世代の5Xまで開発された。製品は国際半導体標準協議機構が定めた超低電圧の範囲である1.01~1.12ボルト(V)で作動し、前世代対比の消費電力を25%減らすことに成功した。 これで業界最高の電力使用効率性を確保したというのが会社側の説明。

また、HKMG工程の導入で、速度も向上した。 LPDDR5Xは前世代対比33%速い8.5ギガビットファーセカンド(Gbps)の動作速度を誇る。

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