半導体は『経済安全保障』…日本全域に生産基盤を作る
日本の半導体産業の政策を担当している経済産業省のデバイス・半導体戦略室長である荻野洋平氏は3日、東京都千代田区にある経産省の事務室で本紙の取材に応じ、現在の日本が直面している現実を率直に説明した。荻野氏は「半導体技術は構造的な転換期を迎えており、日本にとって大きなチャンス」だとしながらも「日本が強者だった30~40年前の優秀な人材が引退を控えているため、最後のチャンスでもある」と述べた。
さらに、「今回推進されている日本の半導体戦略は、単に企業競争力を強化するレベルのものではなく、『経済安全保障』の観点で半導体が日本で生産されるようにするものだ。そのためにどのような環境を作っていくのかが最も重要だ」と強調した。
「半導体のサプライチェーンの構築は、日本単独ではできない。どの国も同じだが、いかに他国と協力するかが非常に重要になるだろう。互いに強さと弱みがあるだけに、補完していくことが必要だ。まだ具体的な計画があるわけではないが、韓国との協力も十分に可能だ。価値観を共有する同盟国や友好国が一緒にやっていくしかない。サプライチェーンを結びつけるためには、情報共有や人材育成だけでなく、日本と韓国が可能な具体的なプロジェクトがあれば、十分に協力対象になりうる」
https://japan.hani.co.kr/arti/international/45962.html
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経済産業省は、2021年11月15日に開催した「第4回 半導体・デジタル産業戦略検討会議」で示された半導体産業基盤緊急強化パッケージに準じて、半導体戦略の3ステップでの実行シナリオを示している。ステップ1では、「IoT用半導体生産基盤の緊急強化」に注力。自動車や産業機器など日本の主要産業で利用する半導体の生産基盤確保を目的にした施策を推し進めます。2030年までの間に、国内で完結する半導体の開発・生産に必要なサプライチェーンの整備を目指して、他国と遜色ない支援とそれを支える法的枠組みを構築し、複数年度にわたる継続的支援を行う。

次のステップ2では、「日米連携による次世代半導体技術基盤」の確立を推し進めるこことで、先端技術開発でも国際競争に負けない体制作りを目指します。より微細化を進展させた前工程や3Dパッケージなど先進的後工程、さらにはSiCやGaNなどを含む次世代パワー半導体などの技術開発を加速させる。そして、ステップ3において、「グローバル連携による将来技術基盤」を確立して、2030年以降の半導体業界にゲームチェンジをもたらす技術革新の開発を目指す。 具体的には、システム間、基板間、チップ間の配線での遅延や消費電力の増大を、日本に強みがある光エレクトロニクス技術を発展させた光電融合技術によって解消。さらなるシステム性能の向上や低消費電力化を実現し、デジタルトランスフォーメーション(DX)やグリーントランスフォーメーション(GX)を支える。
さらに、「今回推進されている日本の半導体戦略は、単に企業競争力を強化するレベルのものではなく、『経済安全保障』の観点で半導体が日本で生産されるようにするものだ。そのためにどのような環境を作っていくのかが最も重要だ」と強調した。
「半導体のサプライチェーンの構築は、日本単独ではできない。どの国も同じだが、いかに他国と協力するかが非常に重要になるだろう。互いに強さと弱みがあるだけに、補完していくことが必要だ。まだ具体的な計画があるわけではないが、韓国との協力も十分に可能だ。価値観を共有する同盟国や友好国が一緒にやっていくしかない。サプライチェーンを結びつけるためには、情報共有や人材育成だけでなく、日本と韓国が可能な具体的なプロジェクトがあれば、十分に協力対象になりうる」
https://japan.hani.co.kr/arti/international/45962.html
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経済産業省は、2021年11月15日に開催した「第4回 半導体・デジタル産業戦略検討会議」で示された半導体産業基盤緊急強化パッケージに準じて、半導体戦略の3ステップでの実行シナリオを示している。ステップ1では、「IoT用半導体生産基盤の緊急強化」に注力。自動車や産業機器など日本の主要産業で利用する半導体の生産基盤確保を目的にした施策を推し進めます。2030年までの間に、国内で完結する半導体の開発・生産に必要なサプライチェーンの整備を目指して、他国と遜色ない支援とそれを支える法的枠組みを構築し、複数年度にわたる継続的支援を行う。

次のステップ2では、「日米連携による次世代半導体技術基盤」の確立を推し進めるこことで、先端技術開発でも国際競争に負けない体制作りを目指します。より微細化を進展させた前工程や3Dパッケージなど先進的後工程、さらにはSiCやGaNなどを含む次世代パワー半導体などの技術開発を加速させる。そして、ステップ3において、「グローバル連携による将来技術基盤」を確立して、2030年以降の半導体業界にゲームチェンジをもたらす技術革新の開発を目指す。 具体的には、システム間、基板間、チップ間の配線での遅延や消費電力の増大を、日本に強みがある光エレクトロニクス技術を発展させた光電融合技術によって解消。さらなるシステム性能の向上や低消費電力化を実現し、デジタルトランスフォーメーション(DX)やグリーントランスフォーメーション(GX)を支える。
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