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サムスン電子とSKハイニックスが中国にある工場で製造している半導体に関して、韓米経済安保フォーラムに出席した米商務省の産業安全保障担当次官が「製造できる半導体の水準に限度を設ける可能性が高い」と発言した。米国は昨年、半導体製造装置の中国輸出を禁止する際、サムスン電子・SKハイニックスの中国工場に対しては1年間の猶予措置を取った。担当次官のこの発言は、同フォーラムで「猶予期間が終了したら、その後はどうなるのか」という質問を受けてのものだ。

サムスン電子は現在、NAND型フラッシュメモリの40％を中国・西安工場で、SKハイニックスはDRAM半導体の40％を中国・無錫工場で製造している。今は米国が提示した基準以下の製品を製造しているが、問題は今後のことだ。半導体産業の特性上、製造装置をアップグレードし続けなければ製品競争力が維持できず、収益も上がらないためだ。専門家らは「今後3－5年以内に中国工場での半導体製造を中止しなければならない状況になる」と考えている。

米政府は同国の補助金を受け取っている半導体製造企業に対して10年間、中国に半導体製造ラインを新設・増設できないようにする方針だ。米国に170億ドル（約2兆3200億円）を投資してファウンドリ（半導体受託製造）工場を建設するサムスンと半導体研究開発センター、先端パッケージング工場を推進中のSKハイニックスが補助金を受け取れば、この規制の対象となる。既に日本やオランダも半導体製造装置の中国輸出について中止を決めている。
https://news.yahoo.co.jp/articles/36a6e0b52b75cbb0e4e0f658726cc4899c3fe74c

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米国政府高位当局者がサムスン電子とＳＫハイニックスの中国工場で一定技術水準以上の半導体を生産できないように限度を設けることになるだろうとしている。アラン・エステベス商務次官（産業安全保障担当）は２３日（現地時間）、ワシントンで韓国国際交流財団（ＫＦ）と米シンクタンク「戦略国際問題研究所（ＣＳＩＳ）」の主催で開かれた韓米経済安保フォーラムで、サムスン・ＳＫに対する対中国半導体輸出統制１年の猶予が終了した後どうなるかについて尋ねられ、「中国がどうするかによって変わりうる」としながらも「企業（サムスンとＳＫ）が生産できる半導体水準に限度（ｃａｐ　ｏｎ　ｌｅｖｅｌ）を設定する可能性が高い」と答えている。



米商務省は昨年１０月、米国企業が中国に１６ナノミリメートル以下のロジックチップ、１８ナノミリメートル以下のＤＲＡＭ、１２８層以上のＮＡＮＤフラッシュを生産する装備・技術を販売する場合、別途の許可を受けるようにする対中半導体輸出統制を発表し、事実上中国先端半導体生産企業への輸出を禁ずる措置となる。商務省はサムスンとＳＫハイニックス中国工場の場合、１年間にわたり一時的に装備輸入を包括的に許可したが、韓国は１年の猶予延長を米国側に要求している。

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