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ＳＫハイニックスが、世界で初めてＤラムチップ１２個を垂直に積み上げた現存の最高容量である２４ＧＢ（ギガバイト）のＨＢＭ３の新製品を開発した。チャットＧＰＴなどの人工知能（ＡＩ）チャットボットの普及などで、次第に拡大しているＡＩ半導体市場を攻略する計画だ。

ＳＫハイニックスは２０日、「昨年６月に世界で初めてＨＢＭ３を量産したのに続き、今回は容量を５０％高めた２４ＧＢのパッケージ製品の開発に成功した」と発表した。ＨＢＭは、複数のＤラムを垂直に連結し、従来のＤラムよりデータの処理速度を引き上げた製品だ。従来のＨＢＭ３の最大容量は、Ｄラム単品チップ８個を垂直に積層した１６ＧＢだった。

ＨＢＭ３は、大量のデータを迅速に処理することに特化したメモリと評価される。高い半導体性能を要求する生成型ＡＩに活用できるため、ビッグテック企業の需要が増えている。現在、複数のグローバル顧客会社が、ＨＢＭ３・２４ＧＢのサンプルを受け取って、性能検証を進めていることが分かっている。

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ＳＫハイニックスは、今回の製品にアドバンストＭＲ-ＭＵＦ技術も採用した。アドバンストＭＲ-ＭＵＦ技術とは、半導体のチップとチップの間の回路を保護するために、液体形態の保護材を空間間に注入する工程だ。ＳＫハイニックスのホン・サンフ副社長（Ｐ＆Ｔ担当）は、「世界最高の後工程技術力を土台に、超高速、高容量のＨＢＭ製品を相次いで開発することができた」とし、「上半期（１～６月）中に今回の新製品の量産準備を完了し、ＡＩ時代の最先端Ｄラム市場の主導権を確固たるものにする」と話した。
https://www.donga.com/jp/List/article/all/20230421/4103563/1



SKハイニックスは、今回既存対比容量を50%高めた24GBパッケージ製品を開発することに成功したとし、最近、AIチャットボット(Chatbot、人工知能対話型ロボット)産業が拡大し、増えているプレミアムメモリー需要に合わせて下半期から市場に新製品を供給できるだろうとした。

SKハイニックスの技術陣は、今回の製品にアドバンスド(Advanced)MR-MUFとTSV技術を適用した。アドバンスドMR-MUF技術を通じて、工程効率性と製品性能安定性を強化した。また、TSV技術を活用し、従来比40%薄いDラム単品チップ12つを垂直に積み上げ、16GB製品と同じ高さを実現した。SKハイニックスが2013年に開発したHBMは、高性能コンピューティングを要求する生成型AIに必須のメモリー半導体製品として業界の注目を集めている。

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