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中国高性能SiC半導体「利普思」、新エネルギー車向け製品の量産体制を拡充

中国の高性能SiC(炭化ケイ素)パワーモジュールメーカー「利普思半導体(Leapers Semiconductor)」がプレシリーズBで1億元(約19億円)以上を調達した。「和高資本(Hygoal Capital)」が出資を主導し、既存株主の「聯新資本(New Alliance Capital)」も参加した。

利普思は2019年11月の設立以来、高性能のSiCとIGBT(絶縁ゲート型バイポーラートランジスタ)のパワーモジュールの開発、生産、販売を手がける。革新的なパッケージング材料・技術を活かし、新エネルギー車、太陽光発電、エネルギー貯蔵、EV用急速充電スタンド、燃料電池を搭載する商用車などの制御に用いる小型・軽量で高効率なパワーモジュールのソリューションを提供する。

共同創業者の丁烜明COOによると、この1年間で製品、技術、販売、市場などで大きな進展があった。主力製品が信頼性に関する認証を取得したほか、製品ラインナップを大幅に拡充したという。

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新エネルギー車分野ではEV(電気自動車)向けメインインバーターのHPDシリーズ、燃料電池自動車および機械車両向けのED3S、ED33Hシリーズ、自動車用エアコンプレッサー向けのE0、E2シリーズなど各種SiCパワーモジュールを揃える。電流は25A~1000A、出力は数kW~400kW以上に対応可能だ。
https://news.yahoo.co.jp/articles/431407babdad71d1c7af61aca57fb3a892d21b25

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SiC(シリコンカーバイド)はシリコン (Si) と炭素 (C) で構成される化合物半導体材料です。 絶縁破壊電界強度がSiの10倍、バンドギャップがSiの3倍と優れているだけでなくデバイス作製に必要なp型、n型の制御が広い範囲で可能であることなどから、Siの限界を超えるパワーデバイス用材料として期待されている。

SiCデバイスは、シリコンIGBTの置き換えとして、大電流、高耐圧領域から普及が進んでいます。 具体的には、発電システムで使用されるパワーコンディショナや、電化住宅のHEMS、電気自動車(EV)など、システムの小型化や軽量化のメリットが大きい10kW以上の領域での普及が期待される。


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[ 2023年05月04日 09:04 ] カテゴリ:中国 | TB(0) | CM(0)
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