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サムスン電子は18日、世界で初めて12ナノメートル製造プロセスによるDRAMの量産を開始したと発表した。回路線幅は髪の毛の太さの約1万分の1にすぎない。

今回量産した製品は容量16ギガビットのDDR5 DRAMで、低電力、高性能の特徴を備えた最新規格だ。従来の14ナノメートル製品に比べ、生産性が20％高く、消費電力も23％改善された。また、1秒間に容量30ギガバイトの高画質映画2本を一度に処理できるデータ伝送速度（7.2Gbps）を備えている。電力消費量が多く、高性能が必要とされるデータセンターを中心に需要が予想される。

同製造プロセスは業界で「第5世代」のプロセスと呼ばれている。業界3位の米マイクロンが昨年、第5世代のDRAM開発に成功したと発表したが、業界は回路線幅を13ナノメートルと推定している。業界2位のSKハイニックスは年内に第5世代のDRAMを量産する計画だ。DRAM市場の43％を掌握している業界首位のサムスンがライバル企業との技術格差を利用し、今年下半期に回復が予想されるメモリー市場の攻略に乗り出した格好だ。

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市場調査会社オムディアは、世界のDRAM市場が今年は前年比で44％縮小するが、来年以降は再び成長に転じると予想している。3年後の2026年にはDRAM市場が947億ドル規模となり、今年（443億ドル）の2倍以上に拡大する見通しだ。サムスン電子の李ジュヨン副社長（DRAM開発室長）は「高性能、大容量の確保とともに、高い生産性でDRAM市場をリードし続けていきたい」と話した。
https://www.chosunonline.com/site/data/html_dir/2023/05/19/2023051980005.html



昨年１２月、サムスン電子が業界最先端の（最小線幅）12ナノメートル（nm・10億分の1メートル）16ギガビット（Gb）DDR5 DRAMを開発し、AMDと共に互換性検証まで終えたと21日明らかにした。ダブルデータレート（double data rate）の略であるDDRはDRAMの規格で、後につく数字が高いほど最新性能を備えているという意味。

サムスン電子が開発した12ナノ級DDR5工程は、通常「5世代10ナノ級工程」と呼ばれる。12ナノと具体的な線幅を公開したのは、微細工程の技術力を強調するためとみられる。サムスン電子は昨年10月、業界最先端の14ナノDDR5 DRAMの量産を開始した。サムスン電子の関係者は「誘電率が高い新素材の適用でキャパシタ（電気を一時的に保存する装置・コンデンサ）容量を高め、回路の特性を改善するための革新的な設計で業界最先端の工程を完成した」と説明している。

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