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STと三安光電、SiC量産に向け中国に合弁会社設立

STMicroelectronics (以下、ST)と中国の化合物半導体メーカーの三安光電は2023年6月7日(スイスおよび中国時間)、中国の重慶に合弁会社を設立する契約を締結したと発表した。新会社では200mm SiC(炭化ケイ素)ウエハーを使ったSTのSiC製品を製造し、STの専用ファウンドリーとして中国で急増している電気自転車(EV)や産業用電源用途のSiC製品需要への対応を目指す。

新会社のSiC製品製造工場は2025年10月~12月に生産を開始し、2028年のフル稼働を想定。また、新会社での製造ニーズに対応するため、三安光電は200mm SiC基板の製造施設を新設し運営する予定だという。新会社の設立費用は今後5年間の設備投資額約24億米ドルを含め総額約32億米ドルになる見込みで、STと三安光電両社の出資に加え、自治体の支援と融資によって調達される予定だ。

STの社長兼CEO(最高経営責任者)であるJean-Marc Chery氏は、新会社設立について「中国の主要パートナーと協力し、専用ファウンドリーを設立することは、中国顧客の需要に対応する上で最も効果的な方法だ。新設予定である三安光電の200mm SiC基板製造施設、新会社による前工程工場、深センにあるSTの後工程工場を組み合わせることで、STは中国の顧客に垂直統合型のSiCバリューチェーンを提供できるようになる」と述べた。

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三安光電のCEOであるSimon Lin氏は「合弁会社の設立は中国市場におけるSiC製品の普及を大きく加速させるだろう。これはSiCファウンドリーとしての当社の目標達成に向けた重要なステップだ。新会社設立とSiC基板製造能力の拡大により、引き続きSiCファウンドリー市場をけん引していくことができると確信している」と述べた。
https://news.yahoo.co.jp/articles/71ec890a4b09cea067309b32deccd97e04643b19

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2021年10月、中国最大のLEDチップメーカーであるサンアン・オプトエレクトロニクス(三安光電)は、今後10年間の中国自動車市場の需要の増大を予想して、シリコンカーバイド(SiC)デバイスの主要なサプライヤーになるための戦略を加速させているとした。 結晶成長からデバイスパッケージングまで、SiCデバイスの製造のあらゆるステップを処理できる長沙(中国湖南省)のメガファブのプロジェクトは、同社が子会社である湖南サンアン・セミコンダクター(湖南三安半導体)を設立した2020年の1年前に始まった。

そこから1年も経たないうちに、湖南三安半導体はサイトの第1段階の完了を発表し、その結果、月産1万5000枚の SiCウエハーの生産キャパを得た。このことは、三安光電が2014年に新設された子会社のサンアン・インテグレッドサーキット(三安集成電路、Sanan IC)を通じて、化合物半導体エレクトロニクスデバイス開発活動を開始した成果として重要な出来事であるとしている。

そして今回、STMicroelectronics (ST)と中国の化合物半導体メーカーの三安光電は2023年6月7日、中国の重慶に合弁会社を設立する契約を締結したと発表し、新会社で200mm SiC(炭化ケイ素)ウエハーを使ったSTのSiC製品を製造し、STの専用ファウンドリーとして中国で急増している電気自転車(EV)や産業用電源用途のSiC製品需要への対応を目指すとした。


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[ 2023年06月10日 07:56 ] カテゴリ:日本経済 | TB(0) | CM(0)
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