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SiC（シリコンカーバイド＝炭化珪素）は、炭素（C）と珪素（Si）の１：１の化合物で、ハイブリッド車やEVの走行用モーターを制御するためのインバーターなどに必要なパワー半導体に用いる新しい材料だ。パワー半導体で使用するSiCは、高純度・単結晶で生産が非常に難しい。

2010年代にデンソーで見せてもらったSiCの元になるアチソン結晶。研磨剤の副産物として得られるもので、この結晶は屋久島産。自然界にはダイヤモンドと違ってSiCの単結晶はほとんど存在しない。

現在パワー半導体に使用されているのは、Si（シリコン）を使ったタイプだ。Siパワー半導体に電流を流すと電力の一部は熱で失われる。またスイッチのON/OFF時のテール電流でスイッチング損失も大きい。HEVの電力損失の20％がパワー半導体によるものだ。これに対してSiCパワー半導体は、熱による定常損失も小さくテール電流がほとんど流れないためスイッチング損失も小さい。

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SiCパワー半導体の研究は、トヨタグループであるデンソーと豊田中央研究所が1980年代から基礎研究を始めていた。SiCパワー半導体は、徐々に普及が始まっており、トヨタもレクサスRZに採用している。とはいえ、まだまだ高価だ。　今回トヨタが見せてくれたSiCウェハを使ったパワー半導体は、電力損失を5割減らせるという。つまり損失が半分になるわけだ。
https://news.yahoo.co.jp/articles/c4ee147c950a893fe2840a6dcc81905fb7306ef8



トヨタ自動車とデンソーは、2020年4月を目標に設立準備を進めている次世代の車載半導体の研究、先行開発を行なう合弁会社の名称を「MIRISE Technologies（MIRISE）」に決定し、トヨタの持つモビリティ視点、ならびにデンソーが培ってきた車載視点での知見を掛け合わせることで、クルマ軸と部品軸の両輪で、電動車両や自動運転車両の技術革新の鍵となる次世代の車載半導体を、より早期に開発していくとした。

MIRISEでは「パワーエレクトロニクス」「センシング」「SoC（System-on-a-Chip）」の3つの技術開発領域に取り組み、パワーエレクトロニクス領域ではトヨタとデンソーの両社がこれまでハイブリッドカーを中心とした電動化技術で蓄積してきた半導体の材料、製造、設計技術を強みとして、主に内製化（委託製造を含む）を目指した研究開発を行なうとし、センシング領域で内製化に加え、共同開発先との協業なども想定した開発を実施。SoC領域では将来のモビリティに最適なSoCの仕様を明確化する機能を強化するとした。

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