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NTTは半導体チップの信号処理を電気ではなく光で行う「光電融合デバイス」の試作ラインを立ち上げ、2025年度に生産を始める。同社傘下の製造会社の拠点を活用しつつ、需要に応じて国内で新拠点を設ける可能性もある。同デバイスはNTTが掲げる次世代光通信基盤の構想「IOWN（アイオン）」の中核となる技術で、通信に使う消費電力の低減が見込める。29年度に量産する予定で、同年度に2000億円の売上高を目指す。

NTTは光電融合デバイスの事業化に向け、12日にNTTイノベーティブデバイス（東京都港区）を新設した。同社は8月に光電子部品・通信機器の開発・製造を手がけるNTTエレクトロニクス（横浜市神奈川区）との統合を予定。試作ライン構築に向けては同社の拠点を活用するほか、新拠点も検討する。

量産時期は29年度で、27年度までに道筋を付ける。自社製造か、外部委託するのかは検討中。まずはウエハーからチップを切り出し、パッケージングする「後工程」の製造技術を確立する。後工程分野のメーカーと連携して量産計画を進める。

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NTTは25年度に半導体のボード（基板）間で、29年度にはチップ間で通信路を光化。30年度以降にチップ内の光化を目指す。これにより電力効率を従来比100倍に高める。
https://news.yahoo.co.jp/articles/e003846e6b4d39f12c6faa58bd1ee0eea0864f1d



NTTは2023年5月12日、2027年度までの新中期経営戦略を発表した。具体的な取り組みとしては、次世代ネットワーク構想「IOWN（Innovative Optical and Wireless Network）」を支える光電融合デバイスの製造会社の設立、2027年度までの5年間で成長分野に対して約8兆円を投資することなどを挙げた。　IOWNとは、光通信技術を中心とした新たな高速大容量通信、膨大な計算リソースなどを提供するネットワーク・情報処理基盤を指す。その中で光電融合デバイスは電気信号と光信号を変換し、大容量通信や低消費電力などを支える技術。

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