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グローバルファウンドリ（半導体委託生産）業界で、次世代先端工程の「2ナノメートル（1ナノメートルは10億分の1メートル）」量産競争に火がついた。ファウンドリ1位の企業である台湾の「TSMC」が今年下半期に2ナノ半導体の試作品の生産準備に着手した中で、サムスン電子も2025年に本格的に2ナノ量産に入る計画を明かした。米政府が強く支援している伝統企業「インテル」もファウンドリ部門への投資を大幅に強化しており、企業間の競争が激しくなる見通しだ。

サムスン電子は27日（現地時間）、米シリコンバレーで「サムスン・ファウンドリ・フォーラム2023」を開き、具体的な2ナノ以下ファウンドリ工程のロードマップを発表した。2ナノ工程は2025年、モバイル用半導体の生産から始まる。2026年にはハイパフォーマンス・コンピューティング（HPC）に2ナノ工程を適用し、2027年には車向け半導体工程に拡大する。半導体回路の線幅を意味するナノメートルの単位が小さくなるほど、低電力、高性能、超小型半導体を作ることができる。2ナノ工程は3ナノ工程に比べて性能が12%、電力効率が25%向上するとサムスン電子は説明した。

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現在、最新工程技術で最も進んでいる企業はTSMCとサムスン電子。3ナノ工程の基準でサムスン電子の技術力がTSMCに比べて1年ほど遅れているが、2ナノの量産が本格化する2025年には両社間の差がなくなる見通しだ。昨年6月、ナノ競争の中核とされるGAA（Gate All Around）トランジスタ技術を3ナノ半導体の量産に真っ先に導入したのが、技術逆転の契機になるとサムスン電子はみている。GAA技術は、工程の微細化によるトランジスタ性能の低下を克服し、データ処理速度と電力効率を高める次世代半導体の中核技術。TSMCは2025年の2ナノ工程からこの技術を適用する予定だという。
http://japan.hani.co.kr/arti/economy/47161.html



韓国サムスン電子の半導体ファウンドリー（受託生産）事業は、生産能力を増強し、より先端的な製造技術を導入する方針だ。市場リーダーの台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）を追撃することを目指す。同社は27日の米カリフォルニア州サンノゼでのプレゼンテーションで、2025年までに携帯電話部品向けに２ナノメートル製造プロセスを導入すると表明。また、ファウンドリー部門の強化に向け、韓国の平沢と米テキサス州テイラーで生産を増強する方針も示した。

サムスンはＴＳＭＣ追撃を図る一方で、ファウンドリー市場への参入を進める米インテルからの新たな攻勢にも対抗しようとしている。半導体業界全体が携帯電話やパソコン部品の需要低迷に見舞われている一方で、人工知能（ＡＩ）ブームによって先端プロセッサーへの関心が高まっている。

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