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サムスン電子がデータの書込及び読取速度を既存最高性能のDRAMより7倍以上高めた「4ギガバイト(GB)高帯域幅メモリー(HBM2DRAM)」モジュールの量産を始めたと19日明らかにした。 DRAMは高集積の半導体記憶装置だ。 今回の量産を契機にサムスン電子のメモリーモジュール製品事業が高性能コンピュータに使われるプレミアム製品を中心に再編しうる準備が整った。

今回量産に入った高帯域幅メモリーモジュールは「シリコン貫通電極(TSV)」という技術を利用してデータ処理速度を高め、電力消費量を減らし、ボード装着時に占める面積を減らしたことが特徴だ。 シリコン貫通電極は一般の紙の厚さの半分以下に削り5千個以上の穴をあけたメモリーチップを順に積み上げた後に穴で線を連結する方式だ。

今回の製品は2世代規格(HBM2)を適用し、既存の1世代規格製品より速度が2倍程度速い。 次世代グラフィックカードと超高性能コンピューティング環境で要求される超節電、超スリム、高信頼性を実現した。 サムスン電子は昨年10月、128ギガDDR4のDRAMモジュールを量産し、超高速メモリーに比重を高めたのに続き、2カ月後に2世代高帯域幅メモリー規格モジュールの量産に成功して次世代グラフィックDRAM市場を先行獲得したと評価される。 サムスン電子は今年上半期中これより容量を2倍に増やした8ギガ製品も量産に入る計画だ。

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サムスン電子は「今までに開発されたDRAMの中で最も速い4ギガGDDR5(9Gbps)に比べてデータ処理速度は7倍以上速く、ボード装着時に占める面積は5％水準になる」と説明した。
韓国ハンギョレ新聞社　キム・ジェソプ記者
http://japan.hani.co.kr/arti/economy/23104.html



【管理人 補足記事＆コメント】
2016年1月19日，Samsung Electronics（以下，Samsung）は，広帯域メモリインタフェース技術「High Bandwidth Memory」の第2世代（以下，HBM2）に対応するDRAMパッケージの生産開始を発表した。現行世代のHBM1 DRAMは，1スタックあたりのメモリ帯域幅が128GB/s程度であったのに対して，HBM2 DRAMは256GB/sと，2倍ものメモリ帯域幅を実現するのが特徴だ。

SamsungのHBM2 DRAMは，20nmプロセスで製造され，「Buffer Die」と呼ばれる土台の上に，容量1GB（＝8Gbit）の半導体ダイを4枚重ねる構造を採用しているという。そのため，1スタックでのメモリ容量は4GBとなる。メモリエラー回避機能の「ECC」（Error Correcting Code）にも対応しているとのことだ。

さらにSamsungでは，2016年中にメモリ容量8GBのHBM2 DRAMを生産することも予告しており，この8GB HBM2 DRAMをグラフィックスカードに使うことで，GDDR5 DRAMに比べて（おそらくはメモリ関連の基板面積を）95％以上の省スペース化を実現できると，Samsungでは主張している。　次世代のGPUに影響を与えそうだが、PC市場のwindows10を軽々と動かし、現行のios やアンドロイドタブレットより高速で素晴らしいグラフィック動作になるのかは難しい…。。。

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