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東芝の半導体子会社の東芝メモリは、２０２２年度までの５年間で先進の３次元（３Ｄ）ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー工場を最大２棟追加建設し、４棟稼働させる。市場が想定通りに拡大すれば、建設計画を進めている四日市工場（三重県四日市市）第６棟と岩手県北上市の新工場の稼働後に、両工場それぞれで追加で新棟を建設する。

ＮＡＮＤメモリーはスマートフォンやデータセンター（ＤＣ）向けに需要が伸びる見通し。東芝メモリは積極投資により出荷額でシェア首位の韓国サムスン電子を追撃する。　東芝メモリは四日市工場第６棟を今夏に稼働する。北上工場は２０年頃の量産開始としてきたが、１９年秋に前倒しする。その後、市況を見つつ四日市工場第７棟、北上工場第２棟の順に着手する意向だ。四日市工場第７棟については現在、土地買収を進めている。交渉状況によっては先に北上工場第２棟の建設を始める計画。一連の設備投資は３兆円を超え、提携先の米ウエスタンデジタルと分担する考えだ。

東芝は、東芝メモリを米ファンドのベインキャピタルが主導する企業連合に売却する。ベインは東芝メモリの設備投資を支援する姿勢を示している。　１８年に入り米アップルや米グーグルがＤＣ投資を積極化する計画を表明。３Ｄ構造ＮＡＮＤメモリーのＤＣ向け需要は安定的に伸びる見通しだ。また２０年に第５世代通信（５Ｇ）が始まれば、スマホ向けに大容量化が求められるとの指摘もある。

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サムスンは１６―１７年にＮＡＮＤメモリー関連で巨額の設備投資を実施した。足元ではＮＡＮＤメモリーと同様にＤＣ向け需要が伸びるＤＲＡＭ向けに投資を振り向けているが、主力の中国・西安工場、韓国・平沢工場でのＮＡＮＤメモリーの増産投資計画もある。
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東芝は6月28日、3D NANDフラッシュ「BiCS FLASH」の96層積層プロセスを適用した製品の試作成功を発表した。2017年後半のサンプル出荷、さらに2018年の量産開始を計画している。今回開発された96層品は256ギガビット（32ギガバイト）TLCで、データセンタ向けエンタープライズSSDやPC向けSSD、スマートフォン、タブレット、メモリカード等の用途を見込む。　3D NANDフラッシュに関しては、量産レベルにおける最多層品が韓Samsung Electronics社の64層品で、試作レベルとしては韓SK Hynix社が2017年4月に発表した72層品が最多層となる。96層品の開発成功は快挙と言えるだろう。　96層品は、同社の四日市工場第5製造棟、新・第2製造棟に加えて、第6製造棟でも量産する。第6製造棟は現在建設中で、第1期分建屋に96層向けのエッチング装置や成膜装置を導入すると発表した。第1期分は、2018年夏の竣工を予定している。

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